[发明专利]吡喃衍生物有效
| 申请号： | 200810165712.3 | 申请日： | 2004-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101369633A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 山县祥子;安部宽子;大泽信晴;野村亮二;濑尾哲史 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/00;C07D455/04;C09K11/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衍生物 | ||
1.发光设备，其包括：
在基底上形成的第一电极；
在所述基底上形成的第一层，该第一层包括具有空穴注入性能的物质；
在所述第一层上形成的第二层，该第二层包括具有空穴传递性能的物质；
在所述第二层上形成的第三层，该第三层包括吡喃衍生物和具有载体传递性能的物质；
在所述第三层上形成的第四层，该第四层包括具有电子传递性能的物质；和
在所述第四层上形成的第二电极；
其中所述吡喃衍生物由下述通式(1)表示：
其中R1是烷氧基。
2.根据权利要求1的发光设备，其中R1是甲氧基。
3.根据权利要求1的发光设备，其中所述具有空穴注入性能的物质包括金属氧化物。
4.根据权利要求1的发光设备，其中所述具有空穴注入性能的物质选自氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化钨和氧化锰。
5.根据权利要求1的发光设备，其中所述具有空穴传递性能的物质是芳香胺。
6.根据权利要求1的发光设备，其中所述具有电子传递性能的物质是金属复合物。
7.根据权利要求1的发光设备，其中所述具有电子传递性能的物质与具有载体传递性能的物质相同。
8.根据权利要求1的发光设备，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极具有光透射性能。
9.根据权利要求1的发光设备，其中所述发光设备被包括在照明设备中。
10.发光设备，其包括：
在基底上形成的第一电极；
在所述基底上形成的第一层，该第一层包括具有电子传递性能的物质；
在所述第一层上形成的第二层，该第二层包括吡喃衍生物和具有载体传递性能的物质；
在所述第二层上形成的第三层，该第三层包括具有空穴传递性能的物质；
在所述第三层上形成的第四层，该第四层包括具有空穴注入性能的物质；和
在所述第四层上形成的第二电极；
其中所述吡喃衍生物由下述通式(1)表示：
其中R1是烷氧基。
11.根据权利要求10的发光设备，其中R1是甲氧基。
12.根据权利要求10的发光设备，其中所述具有空穴注入性能的物质包括金属氧化物。
13.根据权利要求10的发光设备，其中所述具有空穴注入性能的物质选自氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化钨和氧化锰。
14.根据权利要求10的发光设备，其中所述具有空穴传递性能的物质是芳香胺。
15.根据权利要求10的发光设备，其中所述具有电子传递性能的物质是金属复合物。
16.根据权利要求10的发光设备，其中所述具有电子传递性能的物质与具有载体传递性能的物质相同。
17.根据权利要求10的发光设备，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极具有光透射性能。
18.根据权利要求10的发光设备，其中所述发光设备被包括在照明设备中。
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