[发明专利]散热型半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种散热型半导体封装件，其特征在于，包括：

导线架，该导线架具有一芯片座及设于该芯片座周围的多个导脚；

金属层，布设于该芯片座上；

至少一半导体芯片，是通过导热粘着层粘置于该芯片座上，且使该半导体芯片直接接触该金属层及导热粘着层；

焊线，电性连接该半导体芯片及该导脚；以及

封装胶体，包覆该焊线、半导体芯片及部分导线架，并至少使该芯片座底面及导脚部分面积外露出该封装胶体。

2.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属层是由多条金属线所构成。

3.根据权利要求2所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属线是利用打线机在该芯片座上焊接形成。

4.根据权利要求3所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属线是在该导线架的芯片座上利用打线机焊嘴先将焊线形成一球型接点，再移动该焊嘴至芯片座另一区域，接着截断焊线以形成缝接焊点，并重复在该芯片座上焊接形成多条金属线。

5.根据权利要求2所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该多条金属线的排列方式是呈水平排列、垂直排列、斜向排列、及交叉网状排列所组群组的其中一者。

6.根据权利要求2所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属线是由电镀、物理沉积、及化学沉积的其中之一方法形成于该芯片座上。

7.根据权利要求2所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属线的线径为0.8～1.5mils。

8.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属层的材料为金、铜、及铝所组群组的其中之一者。

9.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该芯片座上的金属层是由多个金属块所构成。

10.根据权利要求9所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属块的厚度为0.8～1.5mils。

11.根据权利要求9所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属块是利用打线机焊接形成。

12.根据权利要求9所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该金属块是通过电镀、物理沉积、及化学沉积的其中之一方式形成。

13.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其特征在于：该芯片座上的金属层外围所构成的面积可选择大于、等于或小于半导体芯片的平面投影面积。

14.一种散热型半导体封装件的制法，其特征在于，包括：

提供一导线架，该导线架具有一芯片座及设于该芯片座周围的多个导脚；

在该芯片座上布设一金属层；

通过导热粘着层将至少一半导体芯片粘置于该芯片座上，并使该半导体芯片直接接触该金属层及导热粘着层；

电性连接该半导体芯片及该导脚；以及

形成包覆该半导体芯片及部分导线架的封装胶体，并至少使该芯片座底面及导脚部分面积外露出该封装胶体。

15.根据权利要求14所述的散热型半导体封装件的制法，其特征在于：该金属层是由多条金属线所构成。

16.根据权利要求15所述的散热型半导体封装件的制法，其特征在于：该金属线是利用打线机在该芯片座上焊接形成。

17.根据权利要求16所述的散热型半导体封装件的制法，其特征在于：该金属线是在该导线架的芯片座上利用打线机焊嘴先将焊线形成一球型接点，再移动该焊嘴至芯片座另一区域，接着截断焊线以形成缝接焊点，并重复在该芯片座上焊接形成多条金属线。

18.根据权利要求15所述的散热型半导体封装件的制法，其特征在于：该多条金属线的排列方式是呈水平排列、垂直排列、斜向排列、及交叉网状排列所组群组的其中一之者。

19.根据权利要求15所述的散热型半导体封装件的制法，其特征在于：该金属线是由电镀、物理沉积、及化学沉积的其中一之方法形成于该芯片座上。

20.根据权利要求15所述的散热型半导体封装件的制法，其特征在于：该金属线的线径为0.8～1.5mils。

21.根据权利要求14所述的散热型半导体封装件的制法，其特征在于：该金属层的材料为金、铜、及铝所组群组的其中之一者。