[发明专利]用来制作封装半导体器件的方法和系统无效
| 申请号: | 200810161130.8 | 申请日: | 2008-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN101350319A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
| 发明(设计)人: | A·米诺蒂 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/495 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址: | 意大利*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用来 制作 封装 半导体器件 方法 系统 | ||
1.一种制作半导体器件(1)的方法,包括:
-将被提供有用来承载半导体材料管芯(3)的支撑板(5)的框架结构(4)定位 于模具(13)的成型腔(12)中;以及
-将封装材料(17)引入所述成型腔(12)中以形成被设计成封装所述管芯(3) 的封装(2),
-其特征是所述框架结构(4)被提供有在所述成型腔(12)的内部与所述支撑 板(5)机械耦合并从所述成型腔(12)出来的延伸元件(20),以及进一步包 括:
-在所述延伸元件(20)辅助下控制所述成型腔(12)内的所述支撑板(5)的 定位;以及
-在所述引入封装材料(17)的步骤中,从所述支撑板(5)分开并移离所述延 伸元件(20),
其中所述延伸元件(20)在易断区(22)与所述支撑板(5)耦合,所述分开 步骤包括断裂所述易断区(22)。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述延伸元件(20)与所述支撑板(5) 一体形成,以及所述易断区相应于被设置在所述支撑板(5)和所述延伸元件(20) 之间的弱化区(22)。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述的从所述支撑板(5)移离所述延伸 元件(20)的步骤包括在所述成型腔(12)中形成不存在封装材料(17)的空 白空间(23),所述空白空间与所述支撑平板(5)接触;以及所述引入封装材 料(17)的步骤进一步包括填充所述空白空间(23)。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述封装材料(17)包括热固性材料, 尤其是环氧树脂;所述引入封装材料(17)的步骤还包括在所述填充所述空白 空间(23)的步骤之后硬化所述封装材料(17)的步骤。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述从所述支撑板(5)分开所述延伸元 件(20)的步骤包括从所述延伸元件(20)的设置在所述成型腔(12)外的柄 部(20b)拉动所述延伸元件(20)。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述从所述支撑板(5)移离所述延伸元 件(20)的步骤包括将所述延伸元件(20)从所述成型腔(12)取出。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述取出步骤包括使所述延伸元件(20) 与所述成型腔(12)的末端齐平,以便横向地靠近所述成型腔(12);进一步 包括,在所述引入封装材料(17)步骤后,将所述延伸元件(20)从所述模具 (13)完全去除的步骤。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述控制定位步骤包括将所述延伸元件 (20)夹置于所述模具(13)的第一半部(13a)和第二半部(13b)之间。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述夹置步骤包括关于所述成型腔(12) 将所述支撑板(5)的一部分定中心。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述管芯(3)与所述支撑板(5)的顶 表面(5a)耦合;以及所述控制定位步骤包括控制在不与所述管芯(3)接触的 所述支撑板(5)的底表面(5b)上的所述封装材料(17)的厚度(h)。
11.如权利要求1所述的方法,其中所述半导体器件(1)为功率器件,并 且所述封装(2)为功率封装,其配置成涂覆并完全绝缘所述支撑板(5)和所 述管芯(3)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





