[发明专利]利用微影工艺制作发光二极管及其封装胶材的方法无效
| 申请号： | 200810149002.1 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101677070A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 陈明言;陈奉宽;邱月霞;吴晓雯 | 申请（专利权）人： | 玉晶光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 工艺 制作 发光二极管 及其 封装 方法 | ||
1.一种利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，包含下列步骤：
提供一承载有复数个发光二极管芯片的基板；
形成一光阻层于该基板上，并覆盖该些发光二极管芯片；
对该光阻层施以曝光、显影作业，以于该光阻层形成复数个镂空区，且该些发光二极管芯片位于该些镂空区中；
将一封装胶材填入该些镂空区，并覆盖该些发光二极管芯片；以及
移除该光阻层。
2.如权利要求1所述的利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，其中，包含对已填入该些镂空区的封装胶材进行固化作业，而后再移除该光阻层。
3.如权利要求1所述的利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，其中，包括于该曝光作业前执行曝光对准步骤。
4.如权利要求1所述的利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，其中，该曝光作业包含利用一光罩搭配一曝光源对该光阻层进行曝光。
5.如权利要求1所述的利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，其中，该曝光作业包含利用一电子束或离子束对该光阻层进行曝光。
6.如权利要求1所述的利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，其中，利用干式蚀刻法移除该光阻层。
7.如权利要求1所述的利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，其中，该封装胶材的填入作业选自点胶、涂布及电泳所组成的群组其中一种。
8.如权利要求1所述的利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，其中，包含对该光阻层施以曝光、显影作业，以于该光阻层形成复数个电极区，而后经填入该封装胶材至该些镂空区及移除该光阻层后，该些电极区呈透空状，使得该些发光二极管芯片与外部连通。
9.一种利用微影工艺制作发光二极管的方法，包括：
提供一承载有复数个发光二极管芯片的基板；
形成一光阻层于该基板上，并覆盖该些发光二极管芯片；
对该光阻层施以曝光、显影作业，以于该光阻层形成复数个镂空区，且该些发光二极管芯片位于该些镂空区中；
将一封装胶材填入该些镂空区，并覆盖该些发光二极管芯片；
移除该光阻层；
裁切该基板，使得该些发光二极管芯片各自独立；以及
将各发光二极管芯片电性连接至一芯片座上。
10.如权利要求9所述的利用微影工艺制作发光二极管的方法，其中，于裁切该基板前，先贴附一具有延展性的基材于该基板底面，待该基板裁切完成后，续将该基材拉长延伸，使得相邻发光二极管芯片相对远离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于玉晶光电股份有限公司，未经玉晶光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810149002.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
