[发明专利]交流发光二极管结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管结构，特别是涉及一种应用于减少交流发 光二极管中内导线数量，可延长使用寿命，减少遮蔽出光面积而可提升照 明亮度的交流发光二极管结构。

背景技术

在高功率发光二极管结构中，其是藉由使用半导体制造工艺(制程)技 术，将多颗发光二极管制作于单晶片中，并且使用了大量的内导线，用以连 接复数个发光二极管而形成串联或并联电路结构，以达到提升整体出光亮 度的目的。

如美国专利第US2005/0253151A1号所揭露“一种具有发光单元的发 光装置”，其包括：复数个发光单元组形成于一绝缘基板上；复数个发光单 元组是相互电性连接，又每一发光单元组是由复数个发光单元以等数量分 组所构成，且每一发光单元组中的复数个发光单元是以拉链形式交错排列 并形成反向并联的电路结构。

其中，复数个发光单元是直流发光二极管，且彼此电性绝缘，再藉由使 用内导线而相互电性连接，并形成反向并联的电路结构，因而形成交流发 光二极管，使得可以直接以交流电源驱动发光装置而出光。又由于绝缘基 板上设置有复数个发光单元，使其可以提升发光装置的整体照明亮度。

但是上述的美国专利第US2005/0253151A1存在有以下的缺点：

一、由于每一交流发光二极管是由二直流发光二极管所组成，且每一直 流发光二极管是使用内导线而电性相连，但内导线无法负载高电流，因此在 高电流输入时，便有可能造成某一内导线的坏损。

二、当因为内导线坏损而使任两直流发光二极管出现断路时，将导致其 中一交流发光二极管无法正常出光，使得整体照明亮度降低。

三、大量内导线的使用，导致出光面积受到遮蔽而降低照明亮度。

四、内导线的设计较为复杂，因此使得成本提高，且优良率低。

由此可见，上述现有的交流发光二极管结构在结构与使用上，显然仍 存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为解决上述存在的问题，相关 厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发 展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关 业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的交流发光二极管结构，实属 当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的交流发光二极管结构存在的缺陷，而提 供一种新的交流发光二极管结构，所要解决的技术问题是使其使用外导线 连接每一发光二极管，用以取代内导线的设置，又藉由外导线是可以承受 高电压及高电流输入，而可使得交流发光二极管结构达到不容易损坏的功 效，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种新的交流发光二极管结构，所要解决 的技术问题是使其藉由外导线的使用，可以减少遮蔽出光面积，进而能够 提升照明亮度，从而更加适于实用。

本发明的还一目的在于，提供一种新的交流发光二极管结构，所要解决 的技术问题是使其藉由使用外导线及电路板，可以降低发光二极管结构设 计的复杂程度，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种交流发光二极管结构，其包括：一基座，其具有一晶片 座；一晶片组，其设置于该晶片座上，又该晶片组具有复数个发光二极管；以 及至少一电路板，其设置于该基座上，且该些发光二极管是与该电路板电性 连接，并藉由该电路板形成至少一交流发光二极管。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的交流发光二极管结构，其中所述的基座是由复数个陶瓷层堆叠 形成。

前述的交流发光二极管结构，其中所述的基座的材质是为一氧化铝、一 石英、一二氧化硅、一锆酸钙或一玻璃陶瓷。

前述的交流发光二极管结构，其中所述的基座在具有该晶片座之侧是 具有一凹槽。

前述的交流发光二极管结构，其中所述的晶片座是为一导热基座。

前述的交流发光二极管结构，其中所述的基座进一步具有一导热部。

前述的交流发光二极管结构，其中所述的基座进一步具有一埋入式电 容，且该埋入式电容是作为延迟电路，用以与该些发光二极管电性连接。

前述的交流发光二极管结构，其中所述的该些交流发光二极管是彼此 以串联方式相互连接。