[发明专利]交流发光二极管结构

权利要求书

1.一种交流发光二极管结构，其特征在于其包括：

一基座，其具有一晶片座及一埋入式电容，该埋入式电容是作为延迟 电路；

一晶片组，其设置于该晶片座上，又该晶片组具有复数个发光二极管， 而该些发光二极管电性连接于该埋入式电容；以及

至少一电路板，其设置于该基座上，且每二个该发光二极管是藉由复复 数条外导线与该电路板电性连接，并藉由该些外导线使每二个该发光二极 管于该电路板形成一交流发光二极管，而该电路板又藉由一导电通道与该 埋入式电容电性连接。

2.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述 的基座是由复数个陶瓷层堆叠形成。

3.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述 的基座的材质是为一氧化铝、一石英、一二氧化硅、一锆酸钙或一玻璃陶 瓷。

4.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述 的基座在具有该晶片座之侧是具有一凹槽。

5.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述 的晶片座是为一导热基座。

6.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述 的基座进一步具有一导热部。

7.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述 的该些交流发光二极管是彼此以串联方式相互连接。

8.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述 的该些交流发光二极管是彼此以并联方式相互连接。

9.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述 的该些交流发光二极管电路是以串联及并联方式连接。

10.一种交流发光二极管结构，特征在于其包括：

一基座，其具有一晶片座及一埋入式电容，且该埋入式电容是作为延 迟电路；

一晶片组，其设置于该晶片座上，又该晶片组具有复数个双向导通交 流发光二极管，而该些双向导通交流发光二极管藉由一导电通道电性连接 于该埋入式电容，且每一该双向导通交流发光二极管是以二发光二极管为 一组并借由复数条内导线反向并联方式电性相连；以及

至少一电路板，其设置于该基座上，且该些双向导通交流发光二极管 是藉由复数条外导线与该电路板电性连接，并藉由该电路板及该些外导线 使该些双向导通交流发光二极管形成串联/并联电路结构。

11.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所 述的基座是由复数个陶瓷层堆叠形成。

12.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所 述的基座的材质是为一氧化铝、一石英、一二氧化硅、一锆酸钙或一玻璃 陶瓷。

13.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所 述的基座在具有该晶片座之侧是具有一凹槽。

14.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所 述的晶片座进一步由一导热基座所构成。

15.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所 述的基座进一步具有一导热部。