[发明专利]像素结构及液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 200810146785.8 申请日: 2008-08-29
公开(公告)号: CN101344697A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 罗诚;范姜士权;郑景升;林敬桓;胡至仁;张志明 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 液晶显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种液晶显示面板,且特别是有关于一种液晶显示面板中的像素结构。

背景技术

目前市场对于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)皆朝向高对比度(contrastratio)、无灰阶反转(gray scale inversion)、高亮度(brightness)、高色饱和度(colorsaturation)、快速反应(response)以及广视角(viewing angle)等方向发展。目前常见的广视角技术包括:扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(In-Plane Switching,IPS)液晶显示器、边际场切换式(Fringe FieldSwitching,FFS)液晶显示器与多象限垂直配向(Multi-domain VerticalAlignment,MVA)液晶显示器。以多象限垂直配向液晶显示面板为例,其可通过一些配向图案(alignment patterning),如配向凸起物(alignment protrusion)或狭缝(slit),以使得每一像素中的液晶分子呈多方向排列,进而得到多个不同的配向象限(domain)。对于公知的多象限垂直配向液晶显示面板而言,由于形成于彩色滤光基板或薄膜晶体管阵列基板上的配向凸起物(alignment protrusions)或狭缝(slits)可以使得液晶分子呈多方向排列,而得到多个不同的配向象限(domains),因此多象限垂直配向液晶显示面板能够达成广视角的要求。

图1A为公知液晶显示面板的上视示意图,而图1B是沿着图1A中的I1-I1’剖面线所示的剖面示意图。在公知的半穿透半反射式多象限垂直配向液晶显示面板100中,其彩色滤光基板上会设置有多个配向凸起物P,且这些配向凸起物P会分布于反射电极103以及穿透电极104上方。且反射电极103与穿透电极104中间会有主狭缝(main slit)SS,其目的是使穿透电极104与反射电极103边缘的液晶LC往配向凸起物P倾倒。由于配向凸起物P是设置于反射电极103与穿透电极104的中间,其能够改变电力线的分布,而使液晶LC往配向凸起物P方向倾倒,以达到广视角的目的。此外,反射电极103与穿透电极104间也会有连接部105,以使反射电极103与穿透电极104彼此电性连接,此连接部105可与反射电极103或穿透电极104使用相同的电极材料。

然而,连接部105会改变液晶层中电力线的分布。在一般的操作下,液晶分子可以稳定的排列,但是当有外力压迫液晶面板时,连接部105就会成为液晶分子排列不好的主要原因。也就是说,当液晶面板在遭受外力压迫之后,液晶分子受到上述扭曲的电场影响,无法快速回复到原本的排列状态,造成指压色不均(finger press mura)的现象,严重影响液晶显示面板的品质。

发明内容

本发明提供一种像素结构,其应用于液晶显示面板时可有效地改善指压色不均(finger press mura)的现象。

本发明提供一种液晶显示面板,其遭受外力压迫之后,液晶分子能够快速地回复到原本的排列状态。

本发明提供一种像素结构,其适于配置于一基板上,并包括一第一像素电极、一第二像素电极以及一顶栅极薄膜晶体管。第一像素电极与第二像素电极配置于基板上方,其中第一像素电极与第二像素电极彼此分离。顶栅极薄膜晶体管配置于基板与第一像素电极之间,并包括一图案化半导体层以及一栅极。图案化半导体层配置于基板上,且具有多个导电掺杂区以及至少一连接于导电掺杂区之间的通道区,而其中一个导电掺杂区由第一像素电极下方延伸至第二像素电极下方,且同时与第一像素电极以及第二像素电极电性连接。栅极则配置于通道区上方。

本发明提供一种液晶显示面板,其包括一薄膜晶体管阵列基板、一对向基板以及一液晶层。薄膜晶体管阵列基板具有多个上述的像素结构。对向基板配置于薄膜晶体管阵列基板上方。液晶层配置于薄膜晶体管阵列基板与对向基板之间。

在本发明的一实施例中,上述第一像素电极为一反射像素电极,而第二像素电极为一穿透像素电极。

在本发明的一实施例中,上述第一像素电极为一第一穿透像素电极,而第二像素电极为一第二穿透像素电极。

在本发明的一实施例中,上述第一像素电极为一第一反射像素电极,而第二像素电极为一第二反射像素电极。

在本发明的一实施例中,上述图案化半导体层实质上呈L形。

在本发明的一实施例中,上述图案化半导体层具有三个导电掺杂区以及二个通道区,且各通道区分别连接于二导电掺杂区之间。

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