[发明专利]像素结构及液晶显示面板

权利要求书

1.一种像素结构，适于配置于一基板上，其特征在于，该像素结构包括：

一第一像素电极，配置于该基板上方；

一第二像素电极，配置于该基板上方，其中该第一像素电极与该第二像素电极彼此分离；以及

一顶栅极薄膜晶体管，配置于该基板与该第一像素电极之间，而该顶栅极薄膜晶体管包括：

一图案化半导体层，配置于该基板上，其中该图案化半导体层具有多个导电掺杂区以及至少一连接于所述导电掺杂区之间的通道区，而其中一个导电掺杂区由该第一像素电极下方延伸至该第二像素电极下方，且同时与该第一像素电极以及该第二像素电极电性连接；以及

一栅极，配置于该通道区上方。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极以及该第二像素电极分别为反射像素电极或穿透像素电极。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该图案化半导体层具有三个导电掺杂区以及二个通道区，且各该通道区分别连接于二导电掺杂区之间，其中该栅极为一具有分支的导线，而该导线同时覆盖于所述通道区上方。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上，其中该第二介电层具有一第三接触窗以及一第四接触窗以分别暴露该第一接触导体以及该第二接触导体，而该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接，其中同时与该第一像素电极以及该第二像素电极电性连接的导电掺杂区包括：

一第一型掺杂区；以及

一第二型掺杂区，与该第一型掺杂区连接，其中该第一接触导体同时与该第一型掺杂区以及该第二型掺杂区接触，而该第二接触导体仅与该第二型掺杂区电性接触。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上，其中该第二介电层具有一第三接触窗以及一第四接触窗以分别暴露该第一接触导体以及该第二接触导体，而该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接。

6.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，还包括一共用电极，配置于该栅绝缘层上，其中该共用电极与部分的导电掺杂区重叠，其中该共用电极具有一开口，而该开口的位置对应于该第一接触窗的位置。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上；以及

一垫高层，配置于至少部分的该第二介电层上，其中该垫高层与该第二介电层具有一第三接触窗以暴露该第一接触导体，而该第二介电层具有一第四接触窗以暴露该第二接触导体，该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接。