[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在具有第一型导电性的集电区层的衬底上，顺序提供第一绝缘膜、具有第二型导电性的多晶半导体膜和第二绝缘膜，所述第二型导电性与所述第一型导电性相反；

选择地蚀刻所述第二绝缘膜和所述多晶半导体膜，以提供凹部，所述凹部的底部包括所述第一绝缘膜的暴露部分；

在所述第二绝缘膜上方和所述凹部的侧壁上方形成第三绝缘膜，同时部分地保留所述凹部是暴露的；

在深度方向上蚀刻暴露在所述凹部的底部中的所述第一绝缘膜的所述暴露部分，并在横向方向上蚀刻所述第一绝缘膜的侧表面，以提供中空部分并形成遮护部分，所述中空部分具有在其底部暴露的所述集电区层的暴露部分，所述遮护部分由具有所述多晶半导体膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜的多层膜构成；

在暴露在所述中空部分的底部中的所述集电区层的所述暴露部分上生长基区层和第三半导体层，所述基区层由第一半导体层和第二半导体层构成，并在暴露在所述遮护部分的下表面中的所述多晶半导体膜的所述暴露部分上方生长第一多晶半导体层、第二多晶半导体层和第三多晶半导体层，以形成基区连接部分，所述基区连接部分能够电连接所述多晶半导体膜和所述基区层；以及

将所述第一型导电性的杂质注入到所述第三半导体层的至少一部分中，以形成发射区层，

其中，所述生长基区层和第三半导体层包括：

在生长所述第一半导体层的同时，在暴露在所述遮护部分的下表面中的所述多晶半导体膜的所述暴露部分上方生长所述第一多晶半导体层，所述第一多晶半导体层是未掺杂的，并且所述第一半导体层是未掺杂的；

选择地移除所述第一多晶半导体层；以及

在所述第一半导体层上生长所述第二半导体层和所述第三半导体层的同时，在暴露在所述遮护部分的下表面中的所述多晶半导体膜的所述暴露部分上方选择地生长所述第二多晶半导体层和所述第三多晶半导体层而不与所述第三绝缘膜接触，使得所述第三半导体层与所述第三多晶半导体层接触，所述第二多晶半导体层包含第二型导电性的杂质并用作所述基区连接部分，所述第三多晶半导体层是未掺杂的，所述第二半导体层包含第二型导电性的杂质，所述第三半导体层是未掺杂的。

2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，在单个化学气相沉积装置内顺序进行所述生长所述第一多晶半导体层，所述选择地移除所述第一多晶半导体层以及所述选择地生长所述第二多晶半导体层和所述第三多晶半导体层。

3.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一和第二半导体层以及所述第一和第二多晶半导体层包含硅和锗作为组成元素。

4.如权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一和第二半导体层以及所述第一和第二多晶半导体层进一步包含碳。

5.如权利要求1至4中的任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二和第三多晶半导体层的总厚度小于所述第一、第二和第三半导体层的总厚度。