[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种具有第一和第二器件区的半导体器件，包括：

半导体衬底，

在所述半导体衬底上形成的绝缘中间层，

由所述绝缘中间层中掩埋并贯穿所述绝缘中间层的多个柱状导电 栓塞构成并包围所述第一器件区的周边的环形保护环（106），

具有与所述半导体衬底的导电类型相同的导电类型的阱区，其中 所述阱区形成在所述第一器件区的所述半导体衬底中，第二扩散层 （115）形成在所述阱区中、并且具有与所述第一器件区中的所述半导 体衬底的导电类型相反的导电类型；

在保护环形成区中形成非导电部件，该非导电部件阻挡从所述第 一器件区通过所述保护环至所述第二器件区的路径中的导电；

在所述半导体衬底的表面附近，在保护环形成区中设置具有与所 述半导体衬底的导电类型相反的导电类型的第一扩散层（115）；

所述保护环的下表面与所述第一扩散层的上表面接触；以及

在所述第一扩散层和所述半导体衬底之间的结平面构成所述非导 电部件，

其中所述第一扩散层（115）与所述第二扩散层（115）分离，

其中所述非导电部件在所述第一扩散层和所述阱区之间，以及

其中在包括所述非导电部件的区域中，所述多个柱状导电栓塞在 平面中布置为对角的网格。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述非导电部件形成在所 述第一或所述第二器件区的附近。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述保护环还包围所述第 二器件区的周边。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中所述多个柱状导电栓塞彼 此相邻。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中所述非导电部件具有直接 在所述多个柱状导电栓塞下面的整个区上延伸的平面形状。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中所述保护环沿所述半导体 衬底的边缘形成。