[发明专利]半导体元件、显示装置、光电装置及上述的制造方法

权利要求书

1、一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

于一基板上形成一P型金属氧化物半导体元件以及一N型金属氧化物半导体元件，其中所述P型金属氧化物半导体元件包括一第一岛状多晶硅、一覆盖于所述第一岛状多晶硅上的栅绝缘层以及一位于所述栅绝缘层上的第一栅极，而所述第一栅极位于所述第一岛状多晶硅上方，所述P型金属氧化物半导体元件的制造方法包括：

于所述栅绝缘层与所述第一栅极上形成一第一图案化光刻胶层，且所述第一图案化光刻胶层具有多个第一开口；

以所述第一图案化光刻胶层为光掩膜，对所述第一岛状多晶硅进行P型离子注入，以于所述多个第一开口下方的部分所述第一岛状多晶硅中形成多个P型重掺杂区；

移除部分的所述第一图案化光刻胶层，以形成一具有多个第二开口的第二图案化光刻胶层，且各所述第二开口的尺寸大于各所述第一开口的尺寸；以及

以所述第一栅极与所述第二图案化光刻胶层为光掩膜，对所述第一岛状多晶硅进行P型离子注入，以于所述多个第二开口下方的另一部分所述第一岛状多晶硅中形成多个P型轻掺杂区，而位于所述第一栅极下方的所述第一岛状多晶硅则当作一沟道区，以使得所述沟道区位于所述多个P型轻掺杂区之间，其中所述沟道区的长度小于3微米，且所述多个P型轻掺杂区至少其中一者的长度为所述沟道区的10％至80％。

2、如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第一岛状多晶硅的形成方法包括：

于所述基板上形成一非晶硅层；

对所述非晶硅层进行一热退火工艺，以将所述非晶硅层转换为一多晶硅层；以及

图案化所述多晶硅层，以形成所述第一岛状多晶硅。

3、如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述热退火工艺包括一激光热退火工艺。

4、如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，移除部分的所述第一图案化光刻胶层的方法包括灰化。

5、如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括移除所述第二图案化光刻胶层。

6、如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述N型金属氧化物半导体元件包括一第二岛状多晶硅以及一位于所述栅绝缘层上的第二栅极，其中所述第二栅极位于所述第二岛状多晶硅上方，而所述N型金属氧化物半导体元件的制造方法包括对部分所述第二岛状多晶硅进行N型离子注入，以形成多个N型掺杂区。

7、如权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个N型掺杂区包括多个N型轻掺杂区以及多个N型重掺杂区。

8、如权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括：

于所述第一栅极、所述第二栅极与所述栅绝缘层上形成一层间介电层；

图案化所述层间介电层与所述栅绝缘层，以于所述层间介电层与所述栅绝缘层中形成多个对应于所述N型掺杂区以及所述多个P型重掺杂区的第一接触窗开口；以及

于所述多个第一接触窗开口中形成多个与所述多个N型掺杂区以及所述多个P型重掺杂区电连接的接触导体。

9、如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括：

于所述层间介电层与所述多个接触导体上形成一图案化平坦层，且所述图案化平坦层中具有多个第二接触窗开口；以及

于所述图案化平坦层上形成一导电层，以使得所述导电层通过所述第二接触窗开口与部分所述多个接触导体电连接。

10、如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括：

于所述层间介电层与部分多个接触导体上形成一导电层，以使得所述导电层与部分所述多个接触导体电连接。

11、一种显示装置的制造方法，其特征在于，包含如权利要求1所述的制造方法。

12、一种光电装置的制造方法，其特征在于，包含如权利要求1所述的制造方法。