[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810144034.2 | 申请日: | 2008-07-25 |
公开(公告)号: | CN101354513A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 青田雅明;石田聪 | 申请(专利权)人: | 爱普生映像元器件有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法,本发明特别是涉及采用相对透明基板处于基本水平方向的电场来控制液晶的液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
作为获得较高对比度和较宽视场角的液晶显示装置,人们知道有采用相对透明基板处于基本水平方向的电场的液晶显示装置,即,通过FFS(Fringe-Field Switching,边缘场开关)模式、IPS(In-Plain Switching,面内开关)模式等工作的液晶显示装置。
在该液晶显示装置中,在一个透明基板,设置被供给显示信号的像素电极、被供给共用电位的共用电极的两者。像素电极与形成于该透明基板的像素晶体管的漏电极连接,共用电极与形成于该透明基板、供给共用电位的共用电极线的引出线连接。另外,在端子部,形成外部连接用的下层电极和叠置于其上的上层电极。
在这里,漏电极、引出线、下层电极暂时通过绝缘膜覆盖。然后,对绝缘膜,进行干式蚀刻,由此,形成使漏电极、引出线、下层电极露出的各开口部。然后,漏电极、引出线、下层电极通过各开口部,分别与像素电极,共用电极、上层电极连接。
另外,在专利文献1中记载有采用相对透明基板处于基本水平方向的电场来控制液晶的液晶显示装置。
专利文献1:JP特开2002-296611号文献
但是,在上述液晶显示装置的制造方法中,在将像素晶体管的漏电极和像素电极连接的步骤中,在这些电极之间,夹置有在干式蚀刻时产生的残留堆积物,由此,存在接触电阻增加的情况。另外,存在:还在端子部的下层电极和上层电极之间夹置有残留堆积物,不仅导致接触电阻增加,而且还发生以该残留堆积物为起因的上层电极的剥离、连接不良的情况。其结果是,产生显示不良、信号传送的延迟等的问题。
相对该问题,人们考虑通过蚀刻而去除上述残留堆积物。但是,在通过蚀刻去除残留堆积物时,由于同时将本来不应去除的其它的层蚀刻,故产生形成不良、导致合格率降低。
发明内容
本发明的液晶显示装置的制造方法的特征在于其包括:在基板上形成具有漏电极的开关元件的步骤;形成覆盖上述漏电极的第1绝缘膜的步骤;在上述第1绝缘膜形成使上述漏电极露出的开口部的步骤;在形成覆盖上述开口部、与上述漏电极连接的第1蚀刻阻挡电极的同时,在上述第1绝缘膜上形成共用电极的步骤;覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述共用电极,形成第2绝缘膜的步骤;第1蚀刻步骤,其有选择地对上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜进行蚀刻;第2蚀刻步骤,其在上述第1蚀刻步骤之后,通过蚀刻,去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及在上述第2蚀刻步骤之后,形成与上述第1蚀刻阻挡电极连接、在上述第2绝缘膜上延伸、与上述共用电极对向的像素电极的步骤。
另外,本发明的液晶显示装置的制造方法的特征在于,该方法包括:在基板上形成开关元件和共用电极线的步骤;形成上述开关元件的漏电极和上述共用电极线的引出线的步骤;形成覆盖上述漏电极和上述引出线的第1绝缘膜的步骤;在上述第1绝缘膜形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述引出线露出的第2开口部的步骤;在形成通过上述第2开口部与上述引出线连接的第1蚀刻阻挡电极的同时,在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤;覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极,形成第2绝缘膜的步骤;第1蚀刻步骤,其有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;第2蚀刻步骤,其在上述第1蚀刻步骤后,通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及在上述第2蚀刻步骤之后,形成与上述第1蚀刻阻挡电极连接、在上述第2绝缘膜上延伸、与上述像素电极对向的共用电极的步骤。
此外,本发明的液晶显示装置的制造方法的特征在于,该方法包括:在基板上形成开关元件的步骤;形成上述开关元件的漏电极和共用电极线的步骤;形成覆盖上述漏电极和上述共用电极线的第1绝缘膜的步骤;在上述第1绝缘膜形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述共用电极线露出的第2开口部的步骤;在形成通过上述第2开口部与上述共用电极线连接的第1蚀刻阻挡电极的同时,在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤;覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极,形成第2绝缘膜的步骤;第1蚀刻步骤,其有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;第2蚀刻步骤,其在上述第1蚀刻步骤后,通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及在上述第2蚀刻步骤之后,形成与上述第1蚀刻阻挡电极连接、在上述第2绝缘膜上延伸、与上述像素电极对向的共用电极的步骤。
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