[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810144034.2 申请日: 2008-07-25
公开(公告)号: CN101354513A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 青田雅明;石田聪 申请(专利权)人: 爱普生映像元器件有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上形成具有漏电极的开关元件的步骤;

形成覆盖上述漏电极的第1绝缘膜的步骤;

在上述第1绝缘膜中形成使上述漏电极露出的开口部的步骤;

覆盖上述开口部、形成与上述漏电极连接的第1蚀刻阻挡电极,同时在上述第1绝缘膜上形成共用电极的步骤;

覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述共用电极,形成第2绝缘膜的步骤;

第1蚀刻步骤,其中,有选择地对上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜进行蚀刻;

第2蚀刻步骤,其中,在上述第1蚀刻步骤之后,通过蚀刻来去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及

在上述第2蚀刻步骤之后,形成像素电极的步骤,该像素电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接,在上述第2绝缘膜上延伸,与上述共用电极对向。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:

与上述开关元件的漏电极同时地,形成外部连接用的下层电极;

与上述第1蚀刻阻挡电极同时地,形成与上述下层电极连接的第2蚀刻阻挡电极;

通过上述第2绝缘膜,覆盖上述第2蚀刻阻挡电极;

通过上述第1蚀刻步骤,有选择地蚀刻第2蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;

通过上述第2蚀刻步骤,以蚀刻方式来去除上述第2蚀刻阻挡电极上的残留物;

在上述第2蚀刻步骤后,与上述像素电极的形成同时地,在上述第2蚀刻阻挡电极上,形成外部连接用的上层电极。

3.一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上形成开关元件和共用电极线的步骤;

形成上述开关元件的漏电极和上述共用电极线的引出线的步骤;

形成覆盖上述漏电极和上述引出线的第1绝缘膜的步骤;

在上述第1绝缘膜中形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述引出线露出的第2开口部的步骤;

形成通过上述第2开口部与上述引出线连接的第1蚀刻阻挡电极,同时在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤;

覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极,形成第2绝缘膜的步骤;

第1蚀刻步骤,其中,有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;

第2蚀刻步骤,其中,在上述第1蚀刻步骤后,通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及

在上述第2蚀刻步骤之后,形成共用电极的步骤,该共用电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接,在上述第2绝缘膜上延伸,与上述像素电极对向。

4.一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上形成开关元件的步骤;

形成上述开关元件的漏电极和共用电极线的步骤;

形成覆盖上述漏电极和上述共用电极线的第1绝缘膜的步骤;

在上述第1绝缘膜中形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述共用电极线露出的第2开口部的步骤;

形成通过上述第2开口部与上述共用电极线连接的第1蚀刻阻挡电极,同时在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤;

覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极,形成第2绝缘膜的步骤;

第1蚀刻步骤,其中,有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;

第2蚀刻步骤,其中,在上述第1蚀刻步骤后,通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及

在上述第2蚀刻步骤之后,形成共用电极的步骤,该共用电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接,在上述第2绝缘膜上延伸,与上述像素电极对向。

5.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:

与上述漏电极同时地,形成外部连接用的下层电极;

与上述第1蚀刻阻挡电极同时地,形成与上述下层电极连接的第2蚀刻阻挡电极;

通过上述第2绝缘膜覆盖上述第2蚀刻阻挡电极;

通过上述第1蚀刻步骤,有选择地蚀刻第2蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;

通过上述第2蚀刻步骤,以蚀刻方式去除上述第2蚀刻阻挡电极上的残留物;

在上述第2蚀刻步骤之后,与上述共用电极的形成同时地,在上述第2蚀刻阻挡电极上形成外部连接用的上层电极。

6.根据权利要求1~4中的任意一项所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:上述第1蚀刻步骤为干式蚀刻步骤,上述第2蚀刻步骤为湿式蚀刻步骤。

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