[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810144034.2 | 申请日: | 2008-07-25 |
公开(公告)号: | CN101354513A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 青田雅明;石田聪 | 申请(专利权)人: | 爱普生映像元器件有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成具有漏电极的开关元件的步骤;
形成覆盖上述漏电极的第1绝缘膜的步骤;
在上述第1绝缘膜中形成使上述漏电极露出的开口部的步骤;
覆盖上述开口部、形成与上述漏电极连接的第1蚀刻阻挡电极,同时在上述第1绝缘膜上形成共用电极的步骤;
覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述共用电极,形成第2绝缘膜的步骤;
第1蚀刻步骤,其中,有选择地对上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜进行蚀刻;
第2蚀刻步骤,其中,在上述第1蚀刻步骤之后,通过蚀刻来去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及
在上述第2蚀刻步骤之后,形成像素电极的步骤,该像素电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接,在上述第2绝缘膜上延伸,与上述共用电极对向。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
与上述开关元件的漏电极同时地,形成外部连接用的下层电极;
与上述第1蚀刻阻挡电极同时地,形成与上述下层电极连接的第2蚀刻阻挡电极;
通过上述第2绝缘膜,覆盖上述第2蚀刻阻挡电极;
通过上述第1蚀刻步骤,有选择地蚀刻第2蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;
通过上述第2蚀刻步骤,以蚀刻方式来去除上述第2蚀刻阻挡电极上的残留物;
在上述第2蚀刻步骤后,与上述像素电极的形成同时地,在上述第2蚀刻阻挡电极上,形成外部连接用的上层电极。
3.一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成开关元件和共用电极线的步骤;
形成上述开关元件的漏电极和上述共用电极线的引出线的步骤;
形成覆盖上述漏电极和上述引出线的第1绝缘膜的步骤;
在上述第1绝缘膜中形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述引出线露出的第2开口部的步骤;
形成通过上述第2开口部与上述引出线连接的第1蚀刻阻挡电极,同时在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤;
覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极,形成第2绝缘膜的步骤;
第1蚀刻步骤,其中,有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;
第2蚀刻步骤,其中,在上述第1蚀刻步骤后,通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及
在上述第2蚀刻步骤之后,形成共用电极的步骤,该共用电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接,在上述第2绝缘膜上延伸,与上述像素电极对向。
4.一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成开关元件的步骤;
形成上述开关元件的漏电极和共用电极线的步骤;
形成覆盖上述漏电极和上述共用电极线的第1绝缘膜的步骤;
在上述第1绝缘膜中形成使上述漏电极露出的第1开口部和使上述共用电极线露出的第2开口部的步骤;
形成通过上述第2开口部与上述共用电极线连接的第1蚀刻阻挡电极,同时在上述第1绝缘膜上形成像素电极的步骤;
覆盖上述第1蚀刻阻挡电极和上述像素电极,形成第2绝缘膜的步骤;
第1蚀刻步骤,其中,有选择地蚀刻上述第1蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;
第2蚀刻步骤,其中,在上述第1蚀刻步骤后,通过蚀刻而去除上述第1蚀刻阻挡电极上的残留物;以及
在上述第2蚀刻步骤之后,形成共用电极的步骤,该共用电极与上述第1蚀刻阻挡电极连接,在上述第2绝缘膜上延伸,与上述像素电极对向。
5.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
与上述漏电极同时地,形成外部连接用的下层电极;
与上述第1蚀刻阻挡电极同时地,形成与上述下层电极连接的第2蚀刻阻挡电极;
通过上述第2绝缘膜覆盖上述第2蚀刻阻挡电极;
通过上述第1蚀刻步骤,有选择地蚀刻第2蚀刻阻挡电极上的上述第2绝缘膜;
通过上述第2蚀刻步骤,以蚀刻方式去除上述第2蚀刻阻挡电极上的残留物;
在上述第2蚀刻步骤之后,与上述共用电极的形成同时地,在上述第2蚀刻阻挡电极上形成外部连接用的上层电极。
6.根据权利要求1~4中的任意一项所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:上述第1蚀刻步骤为干式蚀刻步骤,上述第2蚀刻步骤为湿式蚀刻步骤。
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