[发明专利]半导体存储器件和数据存储方法无效

专利信息
申请号: 200810144032.3 申请日: 2008-07-23
公开(公告)号: CN101383184A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 石崎达也;中村博功;黑川敬之;牛越谦一 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C8/00 分类号: G11C8/00;G11C8/10;G11C8/06
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陆锦华;黄启行
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件 数据 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体存储器件和数据存储方法。具体地,本发明涉及包括单元阵列的半导体存储器件和用于半导体存储器件的数据存储方法,所述单元阵列具有以网格模式排列的存储单元。

背景技术

近些年来,随着信息处理技术的发展,需要提高数据处理速度。在诸如矩阵计算或者图像处理的信息处理中,在一些情况下处理定义多维空间的数据。例如,在图像处理中,伴随显示器件的较高清晰度的实现,需要以更高速度显示更多的像素。鉴于这一点,提出了一种技术,其中,通过使用具有以网格模式排列的存储单元的存储器件,在所述存储器件内再现多维空间,并且将在数据空间内的地址与在存储器件内的地址相关联,由此提高数据处理速度。在下述文献内公开了这样的数据处理方法的示例:日本未审查专利申请公开No.05-120121、日本未审查专利申请公开No.09-259035、日本未审查专利申请公开No.10-112179以及日本未审查专利申请公开No.05-257458。

图41示出了在日本未审查专利申请公开No.05-120121内公开的半导体存储器件的方框图。在这个示例内,在具有以二维排列的存储单元的信息存储单元内存储图像数据。而且,使用暂时行/列编号(number)产生单元102、列对应转换单元103和行对应转换单元104来替换用于指定存储单元的行编号和列编号。因此,使用在日本未审查专利申请公开No.05-120121内公开的技术,能够高速执行图像数据的行/列替换处理。

图42示出了在日本未审查专利申请公开No.09-259035内公开的半导体存储器件的方框图。在这个示例内,在通过使用选择电路M1和M2改变行地址和列地址的组合之前,暂时向存储单元阵列210内写入二维图像,由此执行对于图像的旋转变换处理或者线形对称变换处理。因此,使用在日本未审查专利申请公开No.09-259035内公开的技术,能够高速执行图像的旋转变换处理或者线形对称变换处理。

图43示出了在日本未审查专利申请公开No.10-112179内公开的半导体存储器件的方框图。在这个示例内,半导体存储器件包括多个子阵列306-0到306-7。在矩形数据中的不同行内的数据被存储在不同的子阵列内。然后,并行执行数据的读和写,由此实现处理速度的提高。

图44示出了在日本未审查专利申请公开No.05-257458内公开的半导体存储器件的方框图。在这个示例内,半导体存储器件包括地址转换单元402,用于将形成图像的每个像素的逻辑地址转换为用于表示在存储器内的单元的位置的物理地址。而且,地址转换单元402产生物理地址,以便高效率地在存储器内布置像素数据。因此,使用在日本未审查专利申请公开No.05-257458内公开的技术,实现了存储器的有效使用。

但是,在日本未审查专利申请公开No.05-120121、日本未审查专利申请公开No.09-259035、日本未审查专利申请公开No.10-112179号以及日本未审查专利申请公开No.05-257458内公开的技术内,将图像数据划分为要存储的单元,其连接到不同的字线。当将动态随机存取存储器(DRAM)用作存储器件时,在所述存储器内,通过选择任何字线来选择在行方向上排列的单元,并且通过选择任何读出传感器来选择在列方向上排列的单元。因此,在现有技术内,必须在对于图像数据的写入操作或者读取操作期间驱动多条字线。鉴于上述情况,在日本未审查专利申请公开No.05-120121、日本未审查专利申请公开No.09-259035、日本未审查专利申请公开No.10-112179以及日本未审查专利申请公开No.05-257458内公开的技术内,产生一个问题:功耗按照要驱动的字线的数量而提高。在安装到便携装置等的半导体存储器件的领域内,非常需要减少功耗。因此,功耗的增加是一个严重的问题。

发明内容

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