[发明专利]硅太阳能电池梯度杂质PN结制造方法

权利要求书

1.一种硅太阳能电池梯度杂质PN结制造方法，其特征是：

在P型硅片上进行P扩散形成PN结时，先在850度-900度的温度下，恒温20-40分钟；

然后快速降温，降温速度为15-20度/分钟，在700度-750度的温度下，加大P源的输入量，即开启大N₂流量到25-30升/分钟，携P小N₂流量到1.5-2.5升/分钟，恒温3-10分钟，在硅片表层形成一层重扩散的N+层(1)，使其表层的载流子增加，提高了导电率；

硅片内部靠近P型硅的部分还是正常的N层(2)，与原来的P型材料部分(3)形成一个PN N+结构的PN结。