[发明专利]一种多层介质双银层低辐射膜及其生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种双银低辐射膜。

背景技术

目前，市场上的低辐射镀膜产品大体可分为两大类：一类是高可见光透过 率，高遮阳系数；另一类是低可见光透过率，较低的遮阳系数。市场还缺乏一 种产品，具有高的可见光透过率，同时满足低的遮阳系数，即达到较高的选择 系数。

传统的低辐射镀膜产品的膜结构一般为：

玻璃/底层介质膜/阻挡层/Ag层/阻挡层/顶层介质层；

或：玻璃/底层介质膜/Ag层/阻挡层/中间层介质膜/Ag层/阻挡层/顶层介 质层。

上述两种结构中，有一个共同的特点，介质膜均采用单层。产品不能同时 兼顾透过率和遮阳系数两个指标，选择系数只能达到1.4。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有较高的透过率，同时具有较低遮阳系数的多 层介质双银层低辐射膜。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：采用下述膜结构制成的膜层： 基片/多层介质膜层1/Ag层/阻挡层/多层介质膜层2/Ag层/阻挡层/多层介质膜 层3/Si₃N₄。所述多层介质膜层1、2或3的组成模式包括：TiOx/SnOy/ZnO:Al、 SnOy/Si₃N₄/SnOy、ZnOx/SnOy/ZnOx、TiOx/SnOy/TiOx、或NbOy/Si₃N₄/NbOy。所 述多层介质膜层1、2和3采用相同的膜结构，即均采用相同的任意一种膜结构。 所述多层介质膜层1、2和3采用不同的膜结构，即所述多层介质膜层1、2和3 分别采用包括TiOx/SnOy/ZnO:Al、SnOy/Si₃N₄/SnOy、ZnOx/SnOy/ZnOx、 TiOx/SnOy/TiOx、或NbOy/Si₃N₄/NbOy中的任意2种或3种膜结构。所述阻挡层 1、或2的膜层材质包括：NiCr、Nb、Ti、NiCrOx、或NbOx。所述阻挡层1、或 2的膜层材质采用相同的膜结构，即均采用相同的任意一种膜结构。所述阻挡层 1、或2的膜层材质采用不同的膜结构，即所述阻挡层1、或2的膜层材质分别 采用包括NiCr、Nb、Ti、NiCrOx、或NbOx中的任意2种膜结构。所述基片的材 质包括玻璃、或塑料。

本发明的另一个目的是提供一种用于所述多层介质双银层低辐射膜的生产 工艺，其特征在于运用真空磁控溅射镀膜方法生产出双银低辐射镀膜产品，具 体工艺步骤如下：

(1)基片清洗；

(2)进入真空溅射区；

(3)双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm；

(4)双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚 10-15nm；

(5)双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt％)，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm；

(6)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚11-13nm；

(7)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCrOx层，膜厚3-8nm；

(8)双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm；

(9)双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚 10-15nm；

(10)双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt％)，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm；

(11)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚11-13nm；

(12)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCrOx层，膜厚3-8nm；

(13)双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚 10-15nm；

(14)双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚 10-15nm；

(15)双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt％)，中频反应磁控溅射沉积 ZnO:Al膜层，膜厚10-15nm；