[发明专利]一种多层介质双银层低辐射膜及其生产工艺

权利要求书

1.一种多层介质双银层低辐射膜，其特征在于其膜结构为：基片/多层介质膜层1/Ag 层/阻挡层/多层介质膜层2/Ag层/阻挡层/多层介质膜层3/Si₃N₄；所述多层介质膜层1、2或3 的组成模式包括：TiOx/SnOy/ZnO:Al、SnOy/Si₃N₄/SnOy、ZnOx/SnOy/ZnOx、TiOx/SnOy/TiOx、 或NbOy/Si₃N₄/NbOy。

2.根据权利要求1所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是：所述多层介质膜层1、 2和3采用相同的膜结构，即均采用相同的任意一种膜结构。

3.根据权利要求1所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是：所述多层介质膜层1、 2和3采用不同的膜结构，即所述多层介质膜层1、2和3分别采用包括TiOx/SnOy/ZnO:Al、 SnOy/Si₃N₄/SnOy、ZnOx/SnOy/ZnOx、TiOx/SnOy/TiOx、或NbOy/Si3N4/NbOy中的任意2种 或3种膜结构。

4.根据权利要求1所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是：所述阻挡层1、或2 的膜层材质包括：NiCr、Nb、Ti、NiCrOx、或NbOx。

5.根据权利要求4所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是：所述阻挡层1、或2 的膜层材质采用相同的膜结构，即均采用相同的任意一种膜结构。

6.根据权利要求4所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是：所述阻挡层1、或2 的膜层材质采用不同的膜结构，即所述阻挡层1、或2的膜层材质分别采用包括NiCr、Nb、 Ti、NiCrOx、或NbOx中的任意2种膜结构。

7.根据权利要求1所述的多层介质双银层低辐射膜，其特征是：所述基片的材质包括 玻璃、或塑料。

8.一种用于权利要求1所述多层介质双银层低辐射膜的生产工艺，其特征在于运用真 空磁控溅射镀膜方法生产出双银低辐射镀膜产品，具体工艺步骤如下：

(1)基片清洗；

(2)进入真空溅射区；

(3)双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚10-15nm；

(4)双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚10-15nm；

(5)双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材中的Al含量为2wt％，中频反应磁控溅射沉积ZnO:Al 膜层，膜厚10-15nm；

(6)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚11-13nm；

(7)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCrOx层，膜厚3-8nm；

(8)双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚10-15nm；

(9)双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚10-15nm；

(10)双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材中的Al含量为2wt％，中频反应磁控溅射沉积ZnO:Al 膜层，膜厚10-15nm；

(11)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积Ag层，膜厚11-13nm；

(12)单靶桶旋转阴极，直流磁控溅射沉积NiCrOx层，膜厚3-8nm；

(13)双旋转阴极，TiOx陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积TiOx膜层，膜厚10-15nm；

(14)双旋转阴极，Sn金属靶材，中频反应磁控溅射沉积SnOy膜层，膜厚10-15nm；

(15)双旋转阴极，ZnO:Al陶瓷靶材中的Al含量为2wt％，中频反应磁控溅射沉积ZnO:Al 膜层，膜厚10-15nm；

(16)双旋转阴极，SiAl陶瓷靶材，中频反应磁控溅射沉积Si₃N₄膜层，膜厚20-25nm。