[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

设置在半导体衬底的主表面上的第一绝缘分离膜；

围绕所述第一绝缘分离膜的有源区域；

设置在所述半导体衬底的主表面上、比所述第一绝缘分离膜厚度小、并将所述有源区域分离为第一有源区域和第二有源区域的第二绝缘分离膜；

在所述第一有源区域形成的杂质层；

在所述第二有源区域形成的基极区域和在所述基极区域上的发射极区域；以及

在所述半导体衬底形成的集电极区域。

2.权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述集电极区域的所述第二绝缘分离膜的正下方，与所述第一绝缘分离膜的正下方相比，自杂质浓度为峰值位置的主表面的深度大。

3.权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘分离膜的自所述半导体衬底的主表面的高度比自所述第一绝缘分离膜的主表面的高度小。

4.权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘分离膜的底面的深度和所述第一绝缘分离膜的底面的深度实质上相等。

5.权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一绝缘分离膜的正下方，与所述有源区域的正下方相比，自所述杂质浓度为峰值位置的主表面的深度小。

6.权利要求1所述的半导体装置，其中，所述集电极区域是通过对于设有所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜的所述半导体衬底进行离子注入而形成的。

7.权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜是LOCOS氧化膜。

8.权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘分离膜的底面比所述第一绝缘分离膜的底面浅。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

在半导体衬底的主表面形成区分有源区域的第一绝缘分离膜和第二绝缘分离膜的工序，该第二绝缘分离膜比所述第一绝缘分离膜厚度小并且将所述有源区域分离为第一有源区域和第二有源区域；

对形成有所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜的所述半导体衬底进行离子注入以形成集电极区域的工序；

在所述第一有源区域形成杂质层的工序；

在所述第二有源区域形成基极区域及在所述基极区域上形成发射极区域的工序。

10.权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第二绝缘分离膜的工序包括使得所述第二绝缘分离膜的自所述半导体衬底的主表面的高度形成为比所述第一绝缘分离膜的自所述半导体衬底的主表面的高度小的工序。

11.权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第二绝缘分离膜的工序包括使得所述第二绝缘分离膜形成为与所述第一绝缘分离膜厚度相同后，进行选择性地蚀刻而使得厚度变小的工序。

12.权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜的工序包括：在所述半导体衬底的主表面形成掩模层后，在所述掩模层的形成所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜的部分形成第一开口部和第二开口部，从而露出所述半导体衬底的表面的工序；和

所述掩模层作为掩模，通过对所述第一开口部和所述第二开口部的露出所述半导体衬底的表面的部分进行热氧化，形成所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜的工序；

所述第一开口部和所述第二开口部的宽度被设定为通过热氧化所述半导体衬底的表面使得所述第二绝缘分离膜的厚度比所述第一绝缘分离膜的厚度小。

13.权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜的工序包括通过LOCOS法形成所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜的工序。

14.权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述第一绝缘分离膜和所述第二绝缘分离膜的工序包括使得所述第二绝缘分离膜的底面形成为比所述第一绝缘分离膜的底面浅的工序。

15.权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述第一绝缘分离膜的工序包括向形成所述第一绝缘分离膜的所述半导体衬底的主表面离子注入砷或磷后，通过热氧化形成所述第一绝缘分离膜的工序。