[发明专利]半导体装置、晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一基板；

于该基板上形成一外延层，其中该外延层的导电类型与该基板的导电类型相同；

于该外延层中形成一第一掺杂区，其中该第一掺杂区的导电类型与该外延层的导电类型相反；

进行一退火步骤，以扩散该第一掺杂区中的掺质；

于部分该外延层中分别形成一第二掺杂区和一第三掺杂区，该第二掺杂区和该第三掺杂区于该外延层的边界分别被扩散后该第一掺杂区包围，且彼此相邻，其中该第二掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反，该第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相同；以及

于该外延层上形成一栅极结构，并覆盖部分该第二掺杂区和该第三掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法还包括：

于未被该栅极结构覆盖的部分该第二掺杂区和该第三掺杂区中分别形成多个第四掺杂区，其中该第四掺杂区的导电类型与该第一掺杂区的导电类型相反。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法还包括：

于未被该栅极结构覆盖的部分第三掺杂区中形成一第五掺杂区，且相邻于该第四掺杂区，其中该第五掺杂区的导电类型与该第二掺杂区的导电类型相同。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第二掺 杂区和该第三掺杂区分别为一漏极区和一源极区。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一掺杂区的掺质浓度小于该第三掺杂区的掺质浓度。

6.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：

一基板；

一外延层，位于一基板上，其中该外延层的导电类型与该基板的导电类型相同；

一第一掺杂区，位于该外延层中，其中该第一掺杂区的导电类型与该外延层的导电类型相反；

一第二掺杂区和一第三掺杂区，分别位于部分该外延层中，该第二掺杂区和该第三掺杂区于该外延层的边界分别被该第一掺杂区包围，且彼此相邻，其中该第二掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反，该第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相同；以及

一栅极结构，位于该外延层上，并覆盖部分该第二掺杂区和该第三掺杂区。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括：

多个第四掺杂区，分别位于未被该栅极结构覆盖的部分该第二掺杂区和该第三掺杂区中，其中该第四掺杂区的导电类型与该第一掺杂区的导电类型相反。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括：

一第五掺杂区，位于未被该栅极结构覆盖的部分第三掺杂区中，且相邻于该第四掺杂区，其中该第五掺杂区的导电类型与第二掺杂区的导电类型相反。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该第二掺杂区和该第三掺杂区分别为一漏极区和一源极区。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区的掺质 浓度小于该第三掺杂区的掺质浓度。

11.一种双载子-互补金氧半-双扩散金氧半晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一P型基板；

于该P型基板上形成一P型外延层；

于该外延层中形成一N型隔离区；

进行一退火步骤，以扩散该N型隔离区中的掺质；

于部分该外延层中分别形成一漏极区和一源极区，该漏极区和该源极区于该P型外延层的边界分别被扩散后该N型隔离区包围，且彼此相邻，其中该漏极区的导电类型与N型隔离区的导电类型相反，该源极区的导电类型与N型隔离区的导电类型相同；以及

于该P型外延层上形成一栅极结构，并覆盖部分该漏极区和该源极区。