[发明专利]蚀刻基材的方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及基材制程的领域，特别是涉及一种蚀刻基材的方法及系统以改善关键尺寸均匀度(critical dimension uniformity；CDU)。

背景技术

在半导体制造技术中，掩模(亦指光掩模，photomask或reticle)是用于微影系统，已将图案曝光于基材上。图案可包括许多小型或紧密的特征，其中所述小型或紧密的特征是藉由关键尺寸(critical dimension；CD)定义。关键尺寸定义例如闸极宽度、组件制程所容许的较小线宽或较小线距。当掩模或晶圆的关键尺寸越来越小时(例如从45奈米到32奈米)，重要的是，图案特征的尺寸上及几何上的差异(variations)也越来越小。图案特征的上述差异会造成关键尺寸均匀度(critical dimensionuniformity；CDU)的误差。

在整个掩模制造的不同制程中会导入图案特征的尺寸上及几何上的差异。举例而言，当在掩模或半导体晶圆中形成图案时，在蚀刻制程中的蚀刻负载效应会造成关键尺寸的差异，而此关键尺寸的差异与总体蚀刻图案密度有关。

由库马(Kumar)等人提出美国专利公开号第2006-0000802A1号、其标题为“光掩模电浆蚀刻的方法及装置(Method and Apparatus forPhotomask Plasma Etching)”，揭露一种针对蚀刻制程时减少CDU误差的解决方式，此处列为参考文献。此解决方式是提供一种方法及装置以降低电浆蚀刻制程引起的负载效应，其在制程室中的基材上方，藉由多个支脚以提供离子-自由基屏壁(ion-radical shield)。然而，此解决方式出现几个缺点：(1)离子-自由基屏壁不会自动或轻易改变；(2)针对离子-自由基屏壁的支撑结构(多个支脚)在蚀刻制程中会导致微粒的产生，尤其是由震动所引起的微粒；以及(3)离子-自由基屏壁无法补偿所有掩模的CDU误差，特别是蚀刻以外的制程出现的总体负载效应(例如烘烤、显影、及曝光制程)。

有鉴于上述现有的蚀刻基材的方法及系统存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的蚀刻基材的方法及系统，能够改进一般现有的蚀刻基材的方法及系统，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的蚀刻基材的方法及系统存在的缺陷，而提供一种新型的蚀刻基材的方法及系统，所要解决的技术问题是使其改善掩模的关键尺寸均匀度，非常适于实用。因此，亟需一种系统及方法以。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种蚀刻基材的系统，其至少包括：多个制程室；一电浆过滤平板库，该电浆过滤平板库是位于该些制程室的至少一者中；至少一输送制程室，该至少一输送制程室包括一结构，且该结构是用于在该些制程室之间输送一蚀刻对象物；以及多个承载室，该些承载室是用于固定且装载该蚀刻对象物进入该至少一输送制程室。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的的蚀刻基材的系统，其中该蚀刻对象物是一电浆过滤平板，而该些制程室的至少一者是适用于容置且支撑该电浆过滤平板。

前述的蚀刻基材的系统，其中用于容置且支撑该电浆过滤平板的该些制程室的该至少一者至少包括一凹口，该凹口是位于该制程室的一侧壁中。

前述的蚀刻基材的系统，其中于该制程室的该侧壁的该凹口是配置成使该制程室中能容置且支撑该电浆过滤平板。

前述的蚀刻基材的系统，其中该电浆过滤平板库至少包括多个电浆过滤平板。

前述的蚀刻基材的系统，其中该些电浆过滤平板的一或多者至少包括多个孔洞，该些孔洞为图案化以补偿烘烤制程、曝光制程、显影制程及蚀刻制程的至少二者出现的多个总体负载效应。

前述的蚀刻基材的系统，其中该些电浆过滤平板的至少一者至少包括一透明材料。

前述的蚀刻基材的系统，其中该透明材料至少包括石英、玻璃或上述的组合。

前述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该蚀刻对象物是一掩模。