[发明专利]蚀刻基材的方法及系统

权利要求书

1.一种蚀刻基材的系统，其特征在于其至少包括：

多个制程室；

一电浆过滤平板库，该电浆过滤平板库是位于该些制程室的至少一者中；

至少一输送制程室，该至少一输送制程室包括一结构，且该结构是用于在该些制程室之间输送一蚀刻对象物；以及

多个承载室，该些承载室是用于固定且装载该蚀刻对象物进入该至少一输送制程室。

2.根据权利要求1所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该蚀刻对象物是一电浆过滤平板，而该些制程室的至少一者是适用于容置且支撑该电浆过滤平板。

3.根据权利要求2所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中用于容置且支撑该电浆过滤平板的该些制程室的该至少一者至少包括一凹口，该凹口是位于该制程室的一侧壁中。

4.根据权利要求3所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中于该制程室的该侧壁的该凹口是配置成使该制程室中能容置且支撑该电浆过滤平板。

5.根据权利要求1所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该电浆过滤平板库至少包括多个电浆过滤平板。

6.根据权利要求5所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该些电浆过滤平板的一或多者至少包括多个孔洞，该些孔洞为图案化以补偿烘烤制程、曝光制程、显影制程及蚀刻制程的至少二者出现的多个总体负载效应。

7.根据权利要求5所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该些电浆过滤平板的至少一者至少包括一透明材料。

8.根据权利要求7所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该透明材料至少包括石英、玻璃或上述的组合。

9.根据权利要求1所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该蚀刻对象物是一掩模。

10.一种于系统中蚀刻基材的方法，该系统至少包括多个制程室，其中该些制程室的至少一者是适用于容置至少一电浆过滤平板，且该些制程室的至少一者中具有一电浆过滤平板库，其特征在于该方法更至少包括：

自该电浆过滤平板库选出一电浆过滤平板；

从该电浆过滤平板库移出选定的该电浆过滤平板；

将选定的该电浆过滤平板插入该些制程室的一者，该些制程室的该者是适用于容置至少一电浆过滤平板；以及

于该基材中进行一电浆蚀刻制程。

11.根据权利要求10所述的于系统中蚀刻基材的方法，其中该系统更至少包括至少一输送制程室及多个承载室，其特征在于该于系统中蚀刻基材的方法更至少包括：

在该些制程室之间输送一蚀刻对象物；以及

固定且装载该蚀刻对象物进入该至少一输送制程室以及该些承载室中。

12.根据权利要求10所述的于系统中蚀刻基材的方法，其特征在于其中该电浆过滤平板库至少包括多个电浆过滤平板。

13.根据权利要求12所述的于系统中蚀刻基材的方法，其特征在于其中该些电浆过滤平板的一或多者至少包括多个孔洞，而该些孔洞为图案化以补偿该基材中出现的多个总体负载效应。

14.根据权利要求13所述的于系统中蚀刻基材的方法，其特征在于其中该基材中出现的该些总体负载效应是由烘烤制程、曝光制程、显影制程及蚀刻制程的至少二者产生。

15.根据权利要求10所述的于系统中蚀刻基材的方法，其特征在于其中自该电浆过滤平板库选出该电浆过滤平板的步骤至少包括确认该基材中的该些总体负载效应。

16.根据权利要求10所述的于系统中蚀刻基材的方法，其特征在于其中自该电浆过滤平板库选出该电浆过滤平板的步骤更至少包括一选取步骤，而该选取步骤是根据该些总体负载效应的确认而选取能补偿该基材中出现的该些总体负载效应的一电浆过滤平板。