[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体基板上形成第一牺牲绝缘膜；

在所述第一牺牲绝缘膜上形成支撑层；

在所述支撑层上形成第二牺牲绝缘膜；

蚀刻所述第二牺牲绝缘膜、所述支撑层和所述第一牺牲绝缘膜 以形成底部电极区域，所述底部电极区域使在所述半导体基板上形成 的接触插塞露出；

在形成所述底部电极区域之后，在所得结构上形成底部电极导 电层；

使所述底部电极导电层平坦化以使所述第二牺牲绝缘膜露出， 从而形成底部电极；

在使所述底部电极导电层平坦化之后，在所得结构上形成第三 牺牲绝缘膜；

蚀刻所述第三牺牲绝缘膜、所述第二牺牲绝缘膜及所述支撑层， 以形成位于底部电极与相邻底部电极之间的第三牺牲绝缘图案、第二 牺牲绝缘图案和支撑图案；以及

移除所述第一牺牲绝缘膜、所述第二牺牲绝缘图案和所述第三 牺牲绝缘图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一牺牲绝缘膜、所述第二牺牲绝缘膜和所述第三牺牲绝 缘膜包括氧化物膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一牺牲绝缘膜和所述第二牺牲绝缘膜包括选自由TEOS、 USG、BPSG、PSG、SOD、HDP、SROX、SOG、及其组合组成的群 组中的一者。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述支撑层包括厚度在至的范围内的氮化物膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述支撑层包括氮化硅膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第二牺牲绝缘膜具有在至的范围内的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

使用SF₆和Cl₂作为主要气体并且使用选自由Ar、N₂、O₂、碳 氟化合物、及其组合组成的群组中的一者作为额外气体，来蚀刻所述 第一牺牲绝缘膜和所述第二牺牲绝缘膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述底部电极导电层包括选自由Ti、TiN、及其组合组成的群组 中的一者，并且具有在至的范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

对所述底部电极导电层平坦化的步骤还包括：

在形成所述底部电极导电层之后，在所得结构上形成绝缘膜；

使所述第二牺牲绝缘膜上的绝缘膜和底部电极导电层平坦化以 使所述第二牺牲绝缘膜露出；以及

移除留在所述底部电极区域中的绝缘膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

从所述第二牺牲绝缘膜的上表面将所述底部电极导电层进一步 蚀刻至

11.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第三牺牲绝缘膜包括正硅酸四乙酯膜，所述正硅酸四乙酯 膜在300℃至500℃的范围内的温度通过等离子增强化学气相沉积工 序形成。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

蚀刻所述第三牺牲绝缘膜、所述第二牺牲绝缘膜和所述支撑层 的步骤还包括：

在所述第三牺牲绝缘膜上形成光阻膜；

使用所述光阻膜作为曝光掩模，来执行曝光和显影工序以形成 光阻图案；以及

蚀刻所述第三牺牲绝缘膜、所述第二牺牲绝缘膜和所述支撑层， 以形成所述第三牺牲绝缘图案、所述第二牺牲绝缘图案和所述支撑图 案，以支撑所述底部电极和所述相邻底部电极的侧壁。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

所述曝光掩模包括遮蔽图案，所述遮蔽图案具有正方环形形状 或矩形形状。