[发明专利]探测垫结构及其制造方法

权利要求书

1.一种探测垫结构，适于配置在晶圆的切割道区，包括：

一基底，该基底具有一凹槽；

至少一导电层，配置于该基底上，该导电层包括：

一第一金属层，配置于该凹槽上；以及

一第二金属层，配置于该第一金属层上，并延伸至该凹槽以外的该基底上；以及

一保护层，配置于该导电层上，该保护层具有一开口，且该开口对应该凹槽的位置而配置。

2.如权利要求1所述的探测垫结构，其特征在于，当具有多个该导电层时，该些导电层以层叠的方式配置。

3.如权利要求2所述的探测垫结构，其特征在于，还包括至少一导电插塞，配置于该凹槽以外的该基底上，该导电插塞连接各该些导电层。

4.如权利要求3所述的探测垫结构，其特征在于，该导电插塞连接各该些第二金属层。

5.如权利要求2所述的探测垫结构，其特征在于，还包括一介电层，配置于各该些导电层之间。

6.如权利要求2所述的探测垫结构，其特征在于，各该些导电层彼此接触。

7.如权利要求1所述的探测垫结构，其特征在于，该凹槽的尺寸介于15μm×15μm至30μm×30μm之间。

8.如权利要求1所述的探测垫结构，其特征在于，该基底表面在该凹槽处的段差为大于5μm。

9.如权利要求1所述的探测垫结构，其特征在于，该保护层的该开口暴露出该第二金属层。

10.如权利要求1所述的探测垫结构，其特征在于，该保护层包括一氧化硅层与一氮化硅层。

11.一种探测垫结构的制造方法，该探测垫结构适于配置在晶圆的切割道区，包括：

提供一基底；

移除部分该基底，以形成一凹槽；

于该基底上形成至少一导电层，包括：

于该凹槽上形成一第一金属层；以及

于该基底上形成一第二金属层，该第二金属层顺应性地覆盖该第一金属层并延伸至该凹槽以外的该基底上；以及

于该导电层上形成具有一开口的一保护层，且该开口对应该凹槽的位置而配置。

12.如权利要求11所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，当形成多个该导电层时，该些导电层以层叠的方式配置。

13.如权利要求12所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，在形成该导电层之前，还包括：

于该基底上形成一介电层；

移除部分该介电层，以于该凹槽以外的该介电层中形成至少一插塞开口；以及

于该插塞开口中形成一导电插塞。

14.如权利要求13所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，于该插塞开口中形成该导电插塞与形成该第一金属层同时进行。

15.如权利要求13所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，该导电插塞连接各该些第二金属层。

16.如权利要求13所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，还包括移除位于该凹槽上的该介电层。

17.如权利要求11所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，该凹槽的尺寸介于15μm×15μm至30μm×30μm之间。

18.如权利要求11所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，该基底表面在该凹槽处的段差为大于5μm。

19.如权利要求11所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，形成该凹槽的方法包括使用激光刻号机。

20.如权利要求11所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，形成该凹槽的方法包括使用对准标记光掩模或沟渠光掩模。

21.如权利要求11所述的探测垫结构的制造方法，其特征在于，该保护层的形成方法包括：

于该基底上形成一氧化硅层；

于该基底上形成一氮化硅层；以及

移除部分该氧化硅层与该氮化硅层，以暴露出位于该凹槽的该第二金属层。