[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号: | 200810131164.2 | 申请日: | 2008-07-30 | 
| 公开(公告)号: | CN101425329A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 | 
| 发明(设计)人: | 黑田直喜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 | 
| 主分类号: | G11C11/34 | 分类号: | G11C11/34;G11C11/4091;G11C11/4093 | 
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,其特征在于:
包括:
存储单元、
与所述存储单元相连接的字线与位线、
与所述位线连接的第一读出放大器、
虚设存储单元、
与所述虚设存储单元连接的虚设位线、
与所述虚设位线连接的第二读出放大器、
与所述第一读出放大器连接的数据线、
与所述数据线连接的第一预充电电路、
与所述第一预充电电路连接的第三读出放大器、
与所述第二读出放大器连接的虚设数据线、
与所述虚设数据线连接的第二预充电电路、以及
与所述第二预充电电路连接的逻辑电路,
所述逻辑电路的输出信号是启动所述第三读出放大器的输入信号。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述逻辑电路,将利用所述虚设数据线上的电位检测到在对读出到所 述虚设位线的动态数据加以放大的所述第二读出放大器中生成的静态数据 超过了晶体管的导通/截止电位并输出的信号,作为启动所述第三读出放 大器的输入信号。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
在所述逻辑电路的输出一侧包括锁存电路。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
包括:根据所述逻辑电路的输出信号的逻辑值对成为所述逻辑电路的 输入的虚设数据线的信号进行锁存的器件。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述存储单元由一个晶体管和一个电容器构成,所述虚设存储单元由 一个晶体管和一个电容器构成。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
与所述虚设存储单元连接的字线和与所述存储单元连接的字线是同一 条布线。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述位线与所述虚设位线相互平行地布置,所述数据线与所述虚设数 据线相互平行地布置。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述虚设存储单元与含有字驱动器的行译码器相邻而设,所述半导体 存储装置具有对所述逻辑电路的输出时刻进行调节的延迟电路。
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述虚设存储单元的相邻电容器接在一起。
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
给每个包括所述存储单元、所述字线、所述位线以及所述第一读出放 大器的存储器阵列,设置了一个包括所述虚设存储单元、所述虚设位线以 及所述第二读出放大器的虚设存储器阵列。
11.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述虚设存储单元由一个晶体管构成,该晶体管的源极节点连接在电 源上。
12.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所具有的结构是,两个以上的所述第二读出放大器通过开关连接在所 述虚设数据线上。
13.根据权利要求12所述的半导体存储装置,其特征在于:
将所述数据线和所述第一读出放大器连接起来的开关的控制信号与将 所述虚设数据线和所述第二读出放大器连接起来的开关的控制信号不同。
14.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述虚设数据线不是互补线,与所述虚设数据线相邻的布线是电源线。
15.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述逻辑电路具有取两条以上的所述虚设数据线的逻辑和的功能。
16.根据权利要求15所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述两条以上的虚设数据线的数据是相同的逻辑值。
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