[发明专利]电子装置以及制造电子装置的方法有效
| 申请号: | 200810131110.6 | 申请日: | 2008-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN101355063A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | 内田建次;平泽宏希 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;黄启行 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种电子装置,包括:
元件;
框架构件,由第一树脂构成、被设置成围绕所述元件的功能单元;以及
树脂层,由第二树脂构成并且填充所述框架构件的外围,
其中,所述元件的所述功能单元被暴露在由所述框架构件围绕的空间中,并且
其中,所述框架构件的上表面和所述树脂层的上表面形成公共平面,或者所述框架构件的上表面定位得比所述树脂层的上表面更高。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第一树脂是通过光和热可固化的树脂的固化产物。
3.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第一树脂的固化产物的弹性模量在20℃时在从1GPa到6GPa的范围内,在200℃时在从10MPa到3GPa的范围内。
4.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第一树脂是膜形式的树脂。
5.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述框架构件的上表面定位得比所述树脂层的上表面高出从0mm到0.05mm的范围内的长度。
6.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述框架构件的高度等于或者大于0.05mm。
7.如权利要求1所述的电子装置,其中,由所述框架构件的上表面和所述树脂层的上表面形成的平面由保护膜覆盖。
8.如权利要求7所述的电子装置,其中,所述保护膜由可剥离的树脂形成。
9.如权利要求7所述的电子装置,其中,所述保护膜由光学透明材料构成。
10.一种电子装置,包括:
元件;
框架构件,由第一树脂构成、被设置成围绕所述元件的功能单元;以及
树脂层,由第二树脂构成并且填充所述框架构件的外围,
其中,所述元件的所述功能单元被暴露在由所述框架构件围绕的空间中,并且
其中,所述框架构件的上表面定位得比所述树脂层的上表面更高。
11.一种用于制造电子装置的方法,包括:
在晶圆上形成树脂膜,所述晶圆具有形成在其中的多个元件;
图案化所述树脂膜以形成框架构件,所述框架构件由第一树脂构成并且被设置成围绕所述元件的功能单元;以及
提供封装,包括:
在基材构件上安装所述元件;
将封装金属模具的成型面分别压向所述框架构件的上表面和所述基材构件的下表面;以及
将第二树脂注入到由所述封装金属模具的成型面围绕的、除了由所述框架构件围绕的部分之外的空间的部分中,以填充所述框架构件的外围。
12.如权利要求11所述的用于制造电子装置的方法,其中,所述形成树脂膜包括:
层压所述多个膜形式的第一树脂;以及
将所述层压的膜形式的第一树脂设置到所述晶圆上。
13.如权利要求12所述的用于制造电子装置的方法,其中,所述层压第一树脂包括通过辊压工艺层压所述多个膜形式的第一树脂,其中,所述设置第一树脂包括通过真空层压工艺将所述层压的膜形式的第一树脂设置到晶圆上。
14.如权利要求11所述的用于制造电子装置的方法,还包括
在所述框架构件的上表面和所述树脂层的上表面上形成保护膜。
15.如权利要求11所述的用于制造电子装置的方法,其中,所述树脂膜具有预先形成的开口。
16.如权利要求11所述的用于制造电子装置的方法,其中,在所述提供封装中,膜被设置并压在所述框架构件的上表面与所述封装金属模具的成型面之间。
17.如权利要求16所述的用于制造电子装置的方法,其中,在所述提供封装中,膜被设置并压在所述基材构件的下表面与所述封装金属模具的成型面之间。
18.如权利要求11所述的用于制造电子装置的方法,还包括在所述提供封装之后,将所述基材构件分成各个元件。
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