[发明专利]光电装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，特别涉及一种光电装 置及其制造方法。

背景技术

目前，常见的光电装置如发光二极管(light-emitting diode，LED) 是由周期表中三族、五族的半导体材料制作而成的发光元件，其具有 体积小、亮度高、发热量低、耗电量低、没有辐射、不含水银、寿命 长、反应速度快以及可靠度高等优点，因而其应用范围遍及日常生活 中的各项用品，如家电制品及各式仪器的指示灯或光源等。近来由于 多色彩及高亮度化的发展应用范围已朝向户外显示器发展，而红蓝绿 为全彩显示的三原色，因而制作高效率的蓝色及绿色发光二极管是不 可或缺的要件。

请参照图1所示，一种公知发光二极管元件的制造方法包含：将 一半导体发光结构12形成于一基板11。其中，基板11为一蓝宝石材 质基板，而半导体发光结构12为氮化镓(GaN)化合物所构成，并以 一有机金属化学气相沉积法(MOCVD)磊晶形成于基板11上。半导 体发光结构12形成后具有一离基板11较近的氮极性侧(N-polar)N 以及一离基板较远的镓极性侧(Ga-polar)G。接着，电镀一金属层13 于半导体发光结构12上以作为替代基板。接着，以雷射去除(laser lift-off)基板11之后，翻转半导体发光结构12及金属层13。最后，在 光电元件12上设置一外部电极14以形成一发光二极管元件1。于此， 替代基板可以解决因蓝宝石基板导致的散热不佳的问题。

然而，发光二极管元件及其工艺虽解决蓝宝石基板散热不佳的问 题，但却衍生金属电极与光电元件之间所产生的欧姆电阻或注入电流 过于集中等问题，另外，发光二极管整体发光效率也无法有效提升。

因此，如何提供一种光电装置及其制造方法使光电装置具有良好 的欧姆接触并具有均匀电流分布及提高发光效率，已成为重要课题之 一。

发明内容

有鉴于上述课题，本发明的目的是提供一种能够同时具有良好的 欧姆接触、均匀的电流分布及高反射率结构的光电装置及其制造方法。

为达上述目的，依据本发明的一种光电装置的制造方法包含形成 一光电元件于一基板；形成一反射欧姆接触膜于光电元件上，其中反 射欧姆接触膜具有一图案介电层及一第一导电层，图案介电层与第一 导电层沉积于光电元件的上方；以及形成一第二导电层于反射欧姆接 触膜上。

为达上述目的，依据本发明的一种光电装置包含一光电元件、一 反射欧姆接触膜以及一第二导电层。反射欧姆接触膜位于光电元件上， 反射欧姆接触膜具有一图案介电层及一第一导电层。图案介电层与第 一导电层沉积于光电元件的上方。第二导电层位于反射欧姆接触膜上。

承上所述，依据本发明的一种光电装置及其制造方法中，反射欧 姆接触膜的图案介电层及第一导电层是沉积于光电元件的上方，第一 导电层不仅与光电元件具有良好的欧姆接触特性并可作为光线反射 层，而图案介电层可作为电流阻障层以避免注入电流过于集中在两个 电极的最短直线路径，因此，光电装置整体的发光效率得以提升。

附图说明

图1为一种公知光电装置的制造方法的示意图；

图2是依据本发明第一实施例的一种光电装置的制造方法的流程 图；

图3是依据本发明第一实施例的一种光电装置的制造方法的示意 图；

图4是依据本发明第二实施例的一种光电装置的制造方法的流程 图；

图5是依据本发明第二实施例的一种光电装置的制造方法的示意 图；

图6是依据本发明第三实施例的一种光电装置的制造方法的流程 图；

图7是依据本发明第三实施例的一种光电装置的制造方法的示意 图；

图8是依据本发明第四实施例的一种光电装置的制造方法的流程 图；

图9是依据本发明第四实施例的一种光电装置的制造方法的示意 图；

图10及图11是依据本发明第五实施例的一种光电装置的示意图；

图12至图15是依据本发明第六实施例的一种光电装置的示意图； 以及

图16是依据本发明第七实施例的一种光电装置的示意图。

主要元件符号说明：

1：光电二极管元件

11、21、31、41、51、91：基板