[发明专利]光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置的制造方法，包含以下步骤：

形成一光电元件于一基板，其中该光电元件具有一氮极性侧以及 一镓极性侧；

形成一反射欧姆接触膜于该光电元件的该氮极性侧或镓极性侧 上，其中该反射欧姆接触膜具有一图案介电层及一第一导电层，该图 案介电层与该第一导电层沉积于该光电元件的上方；以及

电镀一第二导电层于该第一导电层上，其中该第二导电层的厚度 大于该第一导电层的厚度十倍以上，该第二导电层接触该第一导电层， 该第一导电层接触该光电元件。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中形成该反射欧姆接触膜的 步骤包含：

沉积一介电层于该光电元件上；

图案化该介电层以形成该图案介电层；以及

沉积该第一导电层于该图案介电层上。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中形成该反射欧姆接触膜的 步骤包含：

沉积该第一导电层于该光电元件上；

沉积一介电层于该第一导电层上；以及

图案化该介电层以形成该图案介电层，

其中，该第二导电层电镀于该第一导电层及该图案介电层上。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中该氮极性侧相较于该镓极 性侧离该基板较远，该反射欧姆接触膜位于该氮极性侧上。

5.如权利要求4所述的制造方法，更包含：

形成该反射欧姆接触膜前，蚀刻该光电元件的该氮极性侧，从而 粗糙化该氮极性侧。

6.如权利要求5所述的制造方法，更包含：

雷射剥离该基板；以及

粗糙化该光电元件的该镓极性侧，其中该镓极性侧的表面粗糙度 小于该氮极性侧。

7.如权利要求1所述的制造方法，其中该镓极性侧相较于该氮极 性侧离该基板较远，该反射欧姆接触膜位于该镓极性侧上。

8.如权利要求7所述的制造方法，更包含：

形成该反射欧姆接触膜前，粗糙化该光电元件的该镓极性侧。

9.如权利要求8所述的制造方法，更包含：

雷射剥离该基板；以及

蚀刻该光电元件的该氮极性侧，从而粗糙化该氮极性侧，其中该 镓极性侧的表面粗糙度小于该氮极性侧。

10.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二导电层作为承载基 板。

11.一种光电装置，包含：

一光电元件，具有一氮极性侧以及一镓极性侧；

一反射欧姆接触膜，位于该光电元件的该氮极性侧或镓极性侧上， 该反射欧姆接触膜具有一图案介电层及一第一导电层，该图案介电层 与该第一导电层沉积于该光电元件的上方；以及

一第二导电层，位于该反射欧姆接触膜上，其中该第二导电层电 镀于该第一导电层上，该第二导电层的厚度大于该第一导电层的厚度 十倍以上，该第二导电层接触该第一导电层，该第一导电层接触该光 电元件。

12.如权利要求11所述的光电装置，其中该图案介电层位于该光 电元件上，该第一导电层位于该图案介电层上，该第二导电层位于该 第一导电层上。

13.如权利要求11所述的光电装置，其中该第一导电层位于该光 电元件上，该图案介电层位于该第一导电层上，该第二导电层位于该 第一导电层及该图案介电层上。

14.如权利要求11所述的光电装置，其中该氮极性侧具有粗糙化 表面。

15.如权利要求14所述的光电装置，其中该镓极性侧具有粗糙化 表面，该镓极性侧的表面粗糙度小于该氮极性侧。

16.如权利要求11所述的光电装置，其中该镓极性侧具有粗糙化 表面。

17.如权利要求16所述的光电装置，其中该氮极性侧具有粗糙化 表面，该镓极性侧的表面粗糙度小于该氮极性侧。