[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备

说明书

本分案申请是基于申请号为200510099508.2，申请日为2002年3月21日，发明名称为“具有ID标记的半导体晶片，及从中生产半导体器件的方法和设备”的中国专利申请的分案申请。更具体说，本分案申请是基于申请号为02124538.X，申请日为2002年3月21日，发明名称为“具有ID标记的半导体晶片，及从中生产半导体器件的方法和设备”的分案申请的再次分案申请。

相关申请的交叉参考

这项申请基于提交于2001年3月21日的第P2001-80452号，和提交于2001年11月12日的第P2001-345984号现有日本专利申请，它们的整个内容以提及方式在此引入。

技术领域

本发明涉及在其周边具有ID标记的半导体晶片，和生产这样的半导体晶片的方法。本发明还涉及用这一半导体晶片制造半导体器件的设备和方法。

背景技术

半导体器件的生产包括几百个工序，其中每个工序需要不同的条件，这些条件必须严格管理。晶片的过程条件管理采用在晶片上做出的标记。这些标记由例如数字、字符和条形码组成。

半导体晶片上的标记用于识别晶片，并且指示例如晶片的生产历史。标记可以是做在晶片表面的软标记，或者是做在晶片背面的硬标记。标记由点组成，这些点通过使用激光束脉冲局部熔化晶片而做出。

标记形成在晶片上的有限区域，这样它不妨碍形成在晶片上的产品。标志对工人必须是可见的，因此，通常从几个毫米延伸到几个厘米，在晶片上引起产生相对大的面积损失。

通过使用大能量的激光束部分熔化晶片来形成标记。大能量激光束散射在标记周围熔化的硅粒子上，并且已散射的粒子损坏晶片上形成的半导体器件。

当标记形成在晶片的表面上时，由于在晶片上进行的重复沉积和化学机械抛光(CMP)，标记会消失或变得不可识别。当标记形成在晶片的背面时，标记中的不规则物能引起制版过程中的聚焦误差，且将强施还原晶片的附加工作以见到标记。

为了解决这些问题，日本专利公开出版物08-276284公开了一技术，在沿着晶片周边形成的倾斜轮廓上做出精细标记。相关技术之一制做了液晶标记，并且使激光束穿过液晶标记和光学系统，以在晶片的倾斜轮廓上形成标记的图像。这里使用的激光束具有适当的能量，不会引起烧蚀或硅粒子散射。

然而，相关技术也有问题。即使给晶片单独提供有标记，晶片也通常分组成批，并且一批一批地集中处理。每批包括例如25个晶片。对于一批而不是单独的晶片设置晶片处理条件。一批中的晶片被集中处理和管理，而具有相同的生产历史。确定对于一批晶片设置的工艺条件，来覆盖晶片中各自的变化。

结果，对于一批晶片设置的工艺条件包括冗余，如太长的处理时间、恶化的产率和增加的成本。

半导体晶片上的标记通过主计算机一批一批地管理。通过与主计算机的通讯来处理数据，如晶片上形成的产品、应用于晶片的生产过程和条件，和涉及晶片的测量。与主计算机的通讯耗费了长的时间，而为了节约时间，通常只通讯应用于每批的处理条件。例如，对于相关技术，难于使用单独晶片上测量的膜厚以确定下面的生产过程中应用于晶片的工艺条件。

发明内容

根据本发明的第一方面，半导体晶片具有：沿着其周边形成的倾斜轮廓；形成在晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。ID标记指示例如产品的性质、生产条件和检测结果。

根据本发明的第二方面，半导体晶片具有：一基础晶片；布置在该基础晶片上的绝缘层；布置在绝缘层上的单晶硅层；形成在单晶硅层上的产品；和形成在基础晶片上的ID标记。

根据本发明的第三方面，半导体晶片具有：圆形第一主平面，其上形成半导体器件；倾斜轮廓，沿着晶片的周边形成；参考ID标记，形成在倾斜轮廓上，以指示晶片的晶向。

根据本发明的第四方面，半导体晶片具有：圆形第一主平面，其上形成半导体器件；参考ID标记，形成在晶片上以指示晶片的晶向；凹陷，形成在半导体晶片的周边并且具有相应于第一主平面倾斜的底部；蚀刻凹坑，形成在凹陷的底部，并且由第二方向晶面确定，其中第二方向晶面与暴露在第一主平面上的第一方向晶面不同。即使在晶片上执行抛光过程后，凹陷底部的蚀刻凹坑也保留。

根据本发明的第五方面，半导体晶片具有：圆形基础晶片；沿着基础晶片的周边形成的倾斜轮廓；布置在基础晶片上的绝缘层；布置在绝缘层上的单晶硅层，设置在单晶硅层的周边上的参考位置，以指示单晶硅层的晶向。