[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200810130041.7 申请日: 2002-03-21
公开(公告)号: CN101330000A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/66;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/268;H01L23/544
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 具有 id 标记 半导体 晶片 从中 生产 半导体器件 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种用于生产半导体器件的设备,包括:

晶片工作台,具有旋转机构;

光源,向所述晶片工作台的旋转中心发射光束,以照射晶片的主平面,该晶片设置在所述晶片工作台上;

检测器,测量来自所述晶片中的晶体缺陷的散射光强度,其中所述晶体缺陷选自晶体起源粒子或体微缺陷;

计算机,分析测量的强度的旋转角度依赖性;

标记单元,在所述晶片的晶向线上形成参考ID标记,以指示所述晶片的晶向;以及

工作室,至少覆盖所述晶片工作台、晶片、光源、和检测器,以阻挡外部光。

2.根据权利要求1的设备,还包括数据库,该数据库用于存储来自晶片的整个圆周区域上的晶体缺陷的散射光强度的旋转角度依赖性,其中计算机将所测量的强度的旋转角度依赖性与数据库中存储的数据相比较,以确定晶片的晶向。

3.一种生产半导体器件的方法,包括:

将光束发射到晶片的主平面上;

测量来自所述晶片中的晶体缺陷的散射光强度,其中所述晶体缺陷选自晶体起源粒子或体微缺陷;

分析测量的强度的旋转角度依赖性;

根据分析的旋转角度依赖性,确定所述晶片的晶向;以及

在所述晶片的晶向线上形成参考ID标记,以指示所述晶片的晶向。

4.根据权利要求3的方法,其中:

所述光束是在可见光范围和红外光范围之一内的激光束。

5.根据权利要求3的方法,其中:

所述旋转角度依赖性具有正弦周期性。

6.根据权利要求3的方法,其中分析测量的强度的旋转角度依赖性包括:

将测量的强度的旋转角度依赖性的分布与数据库中存储的分布相比较;以及

从数据库中找出最接近于检测的分布的分布,用来将与找出的分布相关的晶向确定为该晶片的晶向。

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