[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200810129391.1 申请日: 2008-06-30
公开(公告)号: CN101335273A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 木村肇 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沈昭坤
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及物体、方法,或者制作物体的方法。特别涉及显示装置或 者半导体装置。尤其涉及将单晶复制到玻璃基板而形成的显示装置或者半 导体装置。

背景技术

近年来,液晶显示装置、场致发光(EL)显示装置等的平板显示器备受 瞩目。

作为平板显示器的驱动方式,包括无源矩阵方式及有源矩阵方式。有 源矩阵方式与无源矩阵方式相比,具有下述优点:能够实现低功耗化、高 清晰度、基板的大型化等。

在将驱动电路设置于面板的外部的结构中,由于可以采用使用了单晶 硅的IC作为驱动电路,所以不会发生由于驱动电路的速度所引起的问题。 然而,在这样设置IC的情况下,由于需要分别准备面板与IC,还需要进行 面板与IC的连接工序等,因此不能充分地降低制造成本。

因此,从降低制造成本的角度,采用了将像素部与驱动电路部形成为 一体的方法(例如,参照专利文献1)。

专利文献1日本专利特开平8-6053号公报

在专利文献1所示的情况中,作为驱动电路的半导体层,与像素部同 样的,使用非晶硅或微晶硅、以及多晶硅等的非单晶硅。然而,非晶硅就 不用说了、即使在使用微晶硅与多晶硅的情况下,都存在其特性远远不及 使用单晶硅的情况的问题。尤其,在现有的驱动电路一体型的面板所使用 的半导体层中,由于得不到必要且充分的迁移率,在面临制造驱动电路这 种要求高速操作的半导体装置时成为很严重的问题。

发明内容

鉴于上述问题,本发明的目的在于提供降低了制造成本的半导体装 置。或者,其目的在于提供设置有可以高速操作的电路的半导体装置。或 者,其目的在于提供低功耗的半导体装置。

在本发明中,将硅层从单晶基板分离(剥离),并将其粘贴(复制)到玻 璃基板上。或者,将单晶基板粘贴在玻璃基板上,并通过将单晶基板分离, 从而在玻璃基板上形成硅层。并且,将硅层加工成岛形。之后,再次将硅 层从单晶基板分离,并将其粘贴在玻璃基板上。或者,将单晶基板粘贴在 玻璃基板上,并通过将单晶基板分离,从而在玻璃基板上形成硅层。并且, 再次将硅层加工成岛形。

因此,使用这些硅层在玻璃基板上形成TFT。

此时,同时形成使用有非晶硅或微晶硅的TFT。

并且,在这些TFT中,共有作为栅电极其作用的导电层或作为源电极、 漏电极起作用的导电层,并同时形成膜。通过这样,能够减少制造步骤。

本发明的特征在于,在绝缘基板上方具有第一半导体层;在第一半导 体层上方具有第一绝缘层;在第一绝缘层上方具有第一和第二导电层;在 第一和第二导电层上方具有第二绝缘层;在第二绝缘层上方具有第二半导 体层;在第二半导体层上方具有第三导电层;在第二绝缘层上方具有第四 导电层;在第三和第四导电层上方具有第三绝缘层;在第三绝缘层上方具 有第五导电层,其中,第一半导体层具有作为第一晶体管的激活层的功能, 第二半导体层具有作为第二晶体管的激活层的功能,而且第一半导体层和 第二半导体层具有不同的特性。

本发明的特征在于,在上述结构中,第一绝缘层具有作为所述第一晶 体管的栅极绝缘层的功能,第一导电层具有第一晶体管的栅电极的功能。

本发明的特征在于,在上述结构中,第二绝缘层具有作为第二晶体管 的栅极绝缘层的功能,第二导电层具有作为第二晶体管的栅电极的功能。

本发明的特征在于,在上述结构中,第五导电层通过设置于第三绝缘 层的接触孔,与第四导电层电连接。

本发明的特征在于,在上述结构中,第五导电层通过设置于第一绝缘 层、第二绝缘层及第三绝缘层的接触孔,与第一半导体层电连接。

本发明的特征在于,在上述结构中,第三导电层与第二半导体层电连 接。

本发明的特征在于,在上述结构中,第一半导体层具有结晶性。

本发明的特征在于,在上述结构中,第二半导体层具有非晶半导体。

本发明的特征在于,在上述结构中,第二半导体层具有微晶半导体。

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