[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 200810129391.1 | 申请日: | 2008-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN101335273A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
| 发明(设计)人: | 木村肇 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沈昭坤 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
技术领域
本发明涉及物体、方法,或者制作物体的方法。特别涉及显示装置或 者半导体装置。尤其涉及将单晶复制到玻璃基板而形成的显示装置或者半 导体装置。
背景技术
近年来,液晶显示装置、场致发光(EL)显示装置等的平板显示器备受 瞩目。
作为平板显示器的驱动方式,包括无源矩阵方式及有源矩阵方式。有 源矩阵方式与无源矩阵方式相比,具有下述优点:能够实现低功耗化、高 清晰度、基板的大型化等。
在将驱动电路设置于面板的外部的结构中,由于可以采用使用了单晶 硅的IC作为驱动电路,所以不会发生由于驱动电路的速度所引起的问题。 然而,在这样设置IC的情况下,由于需要分别准备面板与IC,还需要进行 面板与IC的连接工序等,因此不能充分地降低制造成本。
因此,从降低制造成本的角度,采用了将像素部与驱动电路部形成为 一体的方法(例如,参照专利文献1)。
专利文献1日本专利特开平8-6053号公报
在专利文献1所示的情况中,作为驱动电路的半导体层,与像素部同 样的,使用非晶硅或微晶硅、以及多晶硅等的非单晶硅。然而,非晶硅就 不用说了、即使在使用微晶硅与多晶硅的情况下,都存在其特性远远不及 使用单晶硅的情况的问题。尤其,在现有的驱动电路一体型的面板所使用 的半导体层中,由于得不到必要且充分的迁移率,在面临制造驱动电路这 种要求高速操作的半导体装置时成为很严重的问题。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供降低了制造成本的半导体装 置。或者,其目的在于提供设置有可以高速操作的电路的半导体装置。或 者,其目的在于提供低功耗的半导体装置。
在本发明中,将硅层从单晶基板分离(剥离),并将其粘贴(复制)到玻 璃基板上。或者,将单晶基板粘贴在玻璃基板上,并通过将单晶基板分离, 从而在玻璃基板上形成硅层。并且,将硅层加工成岛形。之后,再次将硅 层从单晶基板分离,并将其粘贴在玻璃基板上。或者,将单晶基板粘贴在 玻璃基板上,并通过将单晶基板分离,从而在玻璃基板上形成硅层。并且, 再次将硅层加工成岛形。
因此,使用这些硅层在玻璃基板上形成TFT。
此时,同时形成使用有非晶硅或微晶硅的TFT。
并且,在这些TFT中,共有作为栅电极其作用的导电层或作为源电极、 漏电极起作用的导电层,并同时形成膜。通过这样,能够减少制造步骤。
本发明的特征在于,在绝缘基板上方具有第一半导体层;在第一半导 体层上方具有第一绝缘层;在第一绝缘层上方具有第一和第二导电层;在 第一和第二导电层上方具有第二绝缘层;在第二绝缘层上方具有第二半导 体层;在第二半导体层上方具有第三导电层;在第二绝缘层上方具有第四 导电层;在第三和第四导电层上方具有第三绝缘层;在第三绝缘层上方具 有第五导电层,其中,第一半导体层具有作为第一晶体管的激活层的功能, 第二半导体层具有作为第二晶体管的激活层的功能,而且第一半导体层和 第二半导体层具有不同的特性。
本发明的特征在于,在上述结构中,第一绝缘层具有作为所述第一晶 体管的栅极绝缘层的功能,第一导电层具有第一晶体管的栅电极的功能。
本发明的特征在于,在上述结构中,第二绝缘层具有作为第二晶体管 的栅极绝缘层的功能,第二导电层具有作为第二晶体管的栅电极的功能。
本发明的特征在于,在上述结构中,第五导电层通过设置于第三绝缘 层的接触孔,与第四导电层电连接。
本发明的特征在于,在上述结构中,第五导电层通过设置于第一绝缘 层、第二绝缘层及第三绝缘层的接触孔,与第一半导体层电连接。
本发明的特征在于,在上述结构中,第三导电层与第二半导体层电连 接。
本发明的特征在于,在上述结构中,第一半导体层具有结晶性。
本发明的特征在于,在上述结构中,第二半导体层具有非晶半导体。
本发明的特征在于,在上述结构中,第二半导体层具有微晶半导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





