[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 200810129391.1 | 申请日: | 2008-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN101335273A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
| 发明(设计)人: | 木村肇 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沈昭坤 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,
包括:
在绝缘基板上的第一半导体层;
在所述第一半导体层和所述绝缘基板上的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上的第一导电层及第二导电层;
在所述第一导电层、所述第二导电层及所述第一绝缘层上的第二绝缘 层;
在所述第二绝缘层上的第二半导体层;以及
在所述第二半导体层上的第三导电层,
其中,所述第一导电层重叠于所述第一半导体层,所述第二导电层重 叠于所述第二半导体层,
并且,所述第一半导体层作为第一晶体管的激活层起作用,
并且,所述第二半导体层作为第二晶体管的激活层起作用,
并且,所述第一半导体层的特性不同于所述第二半导体层的特性。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一绝缘层作为所述第一晶体管的栅极绝缘层起作用,
并且,所述第一导电层作为所述第一晶体管的栅电极起作用。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二绝缘层作为所述第二晶体管的栅极绝缘层起作用,
并且,所述第二导电层作为所述第二晶体管的栅电极起作用。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第三导电层电连接到所述第二半导体层。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一半导体层具有结晶性。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二半导体层具有非晶半导体。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二半导体层具有微晶半导体。
8.一种显示装置,其特征在于,
包括:权利要求1所述的半导体装置以及显示元件。
9.一种液晶显示装置,其特征在于,
包括:权利要求1所述的半导体装置以及显示元件。
10.一种电子设备,其特征在于,
包括:权利要求8所述的显示装置以及操作开关。
11.一种电子设备,其特征在于,
包括:权利要求9所述的液晶显示装置以及操作开关。
12.一种半导体装置,其特征在于,
包括:
在绝缘基板上的第一半导体层,该第一半导体层具有结晶性;
在所述第一半导体层和所述绝缘基板上的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上的第一导电层及第二导电层;
在所述第一导电层、所述第二导电层及所述第一绝缘层上的第二绝缘 层;
在所述第二绝缘层上的第二半导体层;以及
在所述第二半导体层上的第三导电层,
所述第一导电层重叠于所述第一半导体层,所述第二导电层重叠于所 述第二半导体层,
并且,所述第一半导体层作为第一晶体管的激活层起作用,
并且,所述第二半导体层作为第二晶体管的激活层的功能起作用,
并且,所述第一半导体层的特性不同于所述第二半导体层的特性。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一绝缘层作为所述第一晶体管的栅极绝缘层起作用,
并且,所述第一导电层作为所述第一晶体管的栅电极起作用。
14.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二绝缘层作为所述第二晶体管的栅极绝缘层起作用,
并且,所述第二导电层作为所述第二晶体管的栅电极起作用。
15.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,
所述第三导电层电连接到所述第二半导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





