[发明专利]半导体处理装置有效
申请号: | 200810128029.2 | 申请日: | 2005-02-04 |
公开(公告)号: | CN101329998A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 网仓纪彦;手塚一幸;实吉梨沙子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/455 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 处理 装置 | ||
本申请是申请日为2005年2月4日、申请号为200580001439.5PCT/JP2005/001658)、发明名称为半导体处理装置的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及半导体处理装置,特别涉及在公共搬运室上连接有多个处理室的集群工具型(也称为多处理室型)处理装置。这里,所谓半导体处理是指,为了通过以规定的图形在半导体晶片或者LCD(液晶显示器)或者FPD(平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上形成半导体层、绝缘层、导电层等,而在被处理基板上制造包括半导体设备、连接到半导体设备上的配线、电极等的构造物所实施的种种处理。
背景技术
图14是概略地示出现有技术的集群工具型的半导体处理装置的平面图。该处理装置1具有从载置于装料端口4上的盒体3取出晶片W并在大气压下进行搬运的常压搬运系统5。处理装置1还具有通过负载锁定室11而连接到常压搬运系统5的搬运室6上的、并在规定的减压下搬运晶片的真空搬运系统7。在真空搬运系统7的公用搬运室8的周围,连接有逐块收纳晶片W并在规定的气体气氛下实施规定的处理(例如CVD处理)的多个真空处理室2。
为了要向处理室2供给气体,而在处理装置2的一个侧部或者背面部分上配设连接到气体源上的气体箱50。在气体箱50内汇总配置有已经连接到分别向处理室2供给气体的气体供给管51上的多个流量控制单元。
在该处理装置的情况下,处理室2与气体箱50之间的距离,即气体供给管51的管道长度较长。此外,在每个处理室2中都会因气体供给管51的管道长度不同而产生机差。为此,存在着对压力控制的控制范围、响应性、乃至对工艺性能造成恶劣影响的隐患。此外,由于气体箱与处理装置独立地被设定在地面上,因此占地面积较大。
另一方面,在日本专利特开2001-156009号公报中揭示有一种在装置本体的侧面上配设有气体箱的分批式的纵型处理装置。该纵型处理装置与具有多叶片式处理室的集群型的处理装置不同。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以提高工艺性能以及缩小占地面积的半导体处理装置。
本发明第一方面的半导体处理装置,包括:
公用搬运室;
连接在上述公用搬运室上的、用于对被处理基板实施处理的多个处理室;
配设在上述公用搬运室内的、用于向上述处理室搬运上述被处理基板的搬运机构;和
各个都附设在上述多个处理室上的、用于供给规定气体的多个气体供给系统,其中,
上述多个气体供给系统中的各个都包括:
连接在上述规定气体的气体源上的初级侧连接单元,上述初级侧连接单元被配置在对应的处理室的下侧,
配设在从上述初级侧连接单元向上述对应的处理室内供给气体的气体管道上的、用于控制规定的气体流量的流量控制单元,上述流量控制单元被配置成使得至少一部分重叠在上述初级侧连接单元的上侧,和
覆盖上述流量控制单元的气体箱,对于上述气体箱来说,为了对上述流量控制单元进行操作而具有可装卸的机罩。
本发明第二方面的半导体处理装置,包括:
公用搬运室;
连接在上述公用搬运室上的、用于对被处理基板实施处理的多个处理室;
配设在上述公用搬运室内的、用于向上述处理室搬运上述被处理基板的搬运机构;和
各个都附设在上述多个处理室上的、用于供给规定气体的多个气体供给系统,其中,
上述多个气体供给系统中的各个都包括:
连接在上述规定气体的气体源上的初级侧连接单元,上述初级侧连接单元配置在设置有上述装置的房间的可卸下的地板的下侧,对于上述地板来说,为了对上述初级侧连接单元进行操作而具有可装卸的盖,
配设在从上述初级侧连接单元向上述对应的处理室内供给气体的气体管道上的、用于控制规定的气体流量的流量控制单元,上述流量控制单元被配置成使得至少一部分重叠到上述对应的处理室的下侧,以及
覆盖上述流量控制单元的气体箱,对于上述气体箱来说,为了对上述流量控制单元进行操作而具有可装卸的机罩。
附图说明
图1是概略地示出本发明第一实施方式的半导体处理装置的立体图。
图2是图1所示装置的概略平面图。
图3是概略地示出在图1所示装置中所使用的气体供给系统的管道图。
图4是示出在图1所示装置中所使用的气体供给系统的侧视图。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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