[发明专利]芯片重新配置的封装结构及其方法

权利要求书

1.一种芯片重新配置的封装方法，包括：

提供一晶片，具有一主动面及一下表面，且于该主动面上形成有多个芯片区且每一该芯片区的该主动上配置有多个焊垫；

形成一第一高分子材料层于该晶片上，以覆盖这些芯片区的该主动面上的这些焊垫；

形成多个第一开口，是于该第一高分子材料层上形成多个开口，以曝露出这些焊垫；

形成多个导电柱于这些第一开口中，并使该多个导电柱的一端与这些焊垫电性连接；

切割该晶片，以形成多个独立的芯片；

取放这些芯片至一基板上，是将每一该芯片的该下表面固接于该基板上；

形成一第二高分子材料层于该基板上并环覆每一该芯片以及覆盖这些芯片上的该第一高分子材料层及这些导电柱，以形成一封装体；

薄化该第二高分子材料层，以曝露出该第一高分子材料层及这些导电柱；

形成一第三高分子材料层于该第一高分子材料层及该第二高分子材料层上；

形成多个第二开口，是于该第三高分子材料层上形成多个该第二开口，以曝露出这些导电柱；

形成多个图案化的金属线段于该第三高分子材料层上，这些图案化的金属线段的一端电性连接于这些导电柱；

形成一图案化的保护层以覆盖这些图案化的金属线段，并曝露出这些图案化的金属线段的另一端；

形成多个导电元件，是将这些导电元件电性连接在已曝露的每一该图案化的金属线段的另一端上；及

切割该封装体，以形成多个芯片封装结构。

2.一种多芯片封装方法，包括：

提供一晶片，具有一主动面及一下表面，且于该主动面上形成有多个芯片区且每一该芯片区的该主动上配置有多个焊垫；

形成一第一高分子材料层于该晶片上，以覆盖这些芯片区的该主动面上的这些焊垫；

形成多个第一开口，是于该第一高分子材料层上形成该多个第一开口并曝露出这些焊垫；

形成多个导电柱于这些第一开口中且该多个导电柱的一端与这些焊垫电性连接；

切割该晶片，以形成多个独立的芯片；

取放这些芯片至一基板上，是将每一该芯片的该下表面固接于该基板上；

形成一第二高分子材料层于该基板上并环覆每一该芯片以及覆盖这些芯片上的该第一高分子材料层及这些导电柱，以形成一封装体；

薄化该第二高分子材料层，以曝露出该第一高分子材料层及这些导电柱；

形成多个图案化的金属线段，部份这些图案化的金属线段的两端电性连接这些导电柱，而部份这些图案化的金属线段的一端电性连接这些导电柱；

形成一图案化的保护层以覆盖这些图案化的金属线段，并曝露部份这些图案化的金属线段的另一端；

形成多个导电元件，是将这些导电元件电性连接在已曝露的每一该图案化的金属线段的另一端上；及

切割该封装体，以形成多个多芯片封装结构。

3.一种模块化的多芯片封装方法，包括：

提供至少一晶片，每一该晶片具有一主动面及一下表面，且每一该晶片的该主动面上形成有多个芯片区，其中每一该晶片的该芯片区的该主动面上配置有不同数量的焊垫；

形成一第一高分子材料层于每一该晶片上，并覆盖这些芯片区的该主动面及这些焊垫；

形成多个开口，是于每一该晶片的该第一高分子材料层上形成多个开口，以曝露出这些焊垫；

形成多个导电柱于这些开口中，该多个导电柱的一端与每一该晶片的该主动面上的这些焊垫电性连接；

切割这些晶片，以形成多个具有不同焊垫数量的芯片；

取放这些芯片至一基板上，是将这些具有不同焊垫数量的芯片的该下表面固接于该基板上；

形成一第二高分子材料层于该基板上并环覆每一该芯片以及覆盖这些芯片上的该第一高分子材料层及这些导电柱，以形成一封装体；

薄化该第二高分子材料层，以曝露出该第一高分子材料层及这些导电柱；

形成多个图案化的金属线段，部份这些图案化的金属线段的两端电性连接这些芯片的这些导电柱，而部份这些图案化的金属线段的一端电性连接这些导电柱；

形成一图案化的保护层以覆盖这些图案化的金属线段，并曝露部份这些图案化的金属线段的另一端；

形成多个导电元件，是将这些导电元件电性连接在已曝露的每一该图案化的金属线段的另一端上；及

切割该封装体，以形成多个模块化的多芯片封装结构。