[发明专利]薄膜形成方法和薄膜太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底表面沉积引晶层；

在所述引晶层表面沉积非晶硅层；

在高压氢气气氛中进行热退火处理，将所述非晶硅层转变为微晶硅 层，其中，所述引晶层由氢气和硅烷的混合气体利用PECVD工艺沉积形 成，所述引晶层的沉积厚度为20纳米～300纳米。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：氢气的压力为100～800 个大气压。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热退火的温度为250 ℃～300℃，退火的时间为1～10小时。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氢气和硅烷的比例 为30∶1至200∶1。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述PECVD工艺的工 艺条件包括，等离子体激发功率为200mw/cm²～600mw/cm²，反应室内的 压力为0.3Torr～20Torr，温度为100℃～300℃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述非晶硅层由氢气和 硅烷的混合气体利用PECVD工艺沉积形成，等离子体激励源的频率范围 为4MHz～200MHz。

7.一种采用权利要求1所述薄膜形成方法的薄膜太阳能电池的制造 方法，在玻璃基板表面形成透明导电前电极之后，所述方法包括：

在所述透明导电前电极表面沉积底部为引晶层的p型掺杂非晶硅层；

在高压氢气气氛中进行退火处理形成微晶硅p层；

在所述微晶硅p层表面沉积底部为引晶层的本征非晶硅i层；

在高压氢气气氛中进行退火处理形成微晶硅i层；

在所述微晶硅i层表面沉积底部为引晶层的n型掺杂非晶硅层；

在高压氢气气氛中进行退火处理形成微晶硅n层。

8.一种采用权利要求1所述薄膜形成方法的薄膜太阳能电池的制造 方法，在玻璃基板表面形成透明导电前电极之后，所述方法包括：

在透明导电前电极表面依次沉积底部为引晶层的p型掺杂非晶硅层、 底部为引晶层的本征非晶硅i层和底部为引晶层的n型掺杂非晶硅层；

在高压氢气气氛中对所述各层进行热退火处理，形成微晶硅p层、 微晶硅i层和微晶硅n层。

9.一种半导体结构，包括基底，以及在所述基底表面沉积的引晶层， 和在所述引晶层表面沉积的非晶硅层，所述引晶层的晶粒微小，用于在 高压氢气环境下的热退火处理过程中将所述非晶硅层转变为微晶硅层， 其中，所述引晶层的沉积厚度为20纳米～300纳米。