[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

单元阵列单位，其形成在第一半导体材料上；

核心电路单位，其形成在位于单元阵列之上的第二半导体材料上；以及

绝缘层，其将所述单元阵列单位与所述核心电路单位隔开，

其中，所述第二半导体材料是以所述第一半导体材料作为种晶层而生长的，所述第二半导体材料具有竖直部分，所述竖直部分向下延伸而在接触区域中接触到所述第一半导体材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述核心电路单位包括检测放大器和次字线驱动器中的至少一者。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述检测放大器与所述单元阵列的位线电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述次字线驱动器与所述单元阵列的字线电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一半导体材料与第二半导体材料是相同的材料。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述绝缘层具有在至范围内的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述绝缘层由氧化物、或氮化物、或氧化物和氮化物这两者形成。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一半导体材料上形成单元阵列；

在所述第一半导体材料上形成层间介电层和绝缘层；

蚀刻所述层间介电层和所述绝缘层以形成使所述第一半导体材料露出的接触孔；

在所述单元阵列之上形成第二半导体材料；以及

在所述第二半导体材料上形成核心电路，

其中，所述单元阵列与所述核心电路被所述绝缘层隔开，所述第二半导体材料是使用所述第一半导体材料作为种晶层在所述接触孔内生长的。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

生长所述半导体材料，直到所生长的半导体材料限定所述第二半导体材料为止；并且所述方法还包括平坦化所述第二半导体材料。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述第一半导体材料与第二半导体材料是相同的材料。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述绝缘层具有在至范围内的厚度。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述绝缘层由氧化物膜、或氮化物膜、或氧化物膜和氮化物膜这两者形成。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，

形成核心电路的步骤包括：

在所述第二半导体材料中形成限定有源区的器件隔离结构；以及在所述有源区上形成晶体管。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括：

将所述核心电路的检测放大器与所述单元阵列的位线电连接。

15.根据权利要求8所述的方法，还包括：

将所述核心电路的次字线驱动器与所述单元阵列的字线电连接。