[发明专利]半导体封装工艺的验证测试方法以及其使用的共用型基板无效
| 申请号: | 200810126630.8 | 申请日: | 2008-06-17 | 
| 公开(公告)号: | CN101609803A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 | 
| 发明(设计)人: | 陈晖长;杨羽婷;张嘉慧 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/66 | 
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张 瑾;王黎延 | 
| 地址: | 台湾省新竹县湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 工艺 验证 测试 方法 及其 使用 共用 型基板 | ||
1、一种半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:
提供共用型基板,该共用型基板具有核心层以及环圈接垫,其中该环圈接垫沿着该核心层的表面周边形成,并在该环圈接垫包围的区域内形成有粘晶区;
设置至少一个第一芯片于该共用型基板上,该第一芯片位于该粘晶区;
打线形成两个或两个以上第一焊线,连接该第一芯片至该环圈接垫;
设置第二芯片于该共用型基板或该第一芯片上;
打线形成两个或两个以上第二焊线,连接该第二芯片至该环圈接垫;以及
形成封胶体于该共用型基板上,以密封该第一芯片、该第二芯片、第一焊线以及第二焊线。
2、如权利要求1所述的半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,所述环圈接垫上电镀形成有金层。
3、如权利要求1所述的半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,所述粘晶区具有网状迹线。
4、如权利要求1所述的半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,所述共用型基板为无电性功能的虚基板。
5、如权利要求4所述的半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,所述共用型基板具有微型安全数字卡的外形,该共用型基板的其中一个侧边形成有突出扣部以及在该突出扣部后端的加宽部。
6、如权利要求5所述的半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,所述第二芯片的尺寸小于该第一芯片的尺寸,用以模拟控制器芯片,并且该第二芯片邻近于该加宽部。
7、如权利要求1或6所述的半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,所述第一芯片为虚芯片,用以模拟存储器芯片。
8、如权利要求7所述的半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,所述第一芯片具有铝质金属面,大致完全覆盖该第一芯片被所述第一焊线连接的表面。
9、如权利要求8所述的半导体封装工艺的验证测试方法,其特征在于,所述第二芯片铝面虚芯片。
10、一种半导体封装工艺的验证测试方法使用的共用型基板,其特征在于,该共用型基板具有核心层以及环圈接垫,其中该环圈接垫沿着该核心层的表面的周边形成,并在该环圈接垫包围的区域内形成有粘晶区。
11、如权利要求10所述的半导体封装工艺的验证测试方法使用的共用型基板,其特征在于,所述环圈接垫上电镀形成有金层。
12、如权利要求10所述的半导体封装工艺的验证测试方法使用的共用型基板,其特征在于,所述粘晶区具有网状迹线。
13、如权利要求10所述的半导体封装工艺的验证测试方法使用的共用型基板,其特征在于,所述共用型基板为无电性功能的虚基板。
14、如权利要求10所述的半导体封装工艺的验证测试方法使用的共用型基板,其特征在于,所述共用型基板具有微型安全数字卡的外形,该共用型基板的其中一个侧边形成有突出扣部以及在该突出扣部后端的加宽部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





