[发明专利]半导体封装体以及使用半导体封装体的半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装体以及使用这种半导体封装体的半导体 器件，更具体地说，本发明涉及包括倒装芯片连接焊盘和用于球栅阵 列(BGA，Ball Grid Array)连接或矩栅阵列(LGA，Land Grid Array) 连接的连接盘焊盘的半导体封装体，以及使用这种半导体封装体的半 导体器件。

背景技术

在用于便携电话或数字相机的半导体封装体和使用这种半导体 封装体的半导体器件中，希望提高密度并且减小尺寸。在密度提高并 且尺寸减小的半导体封装体和半导体器件的组装技术中，采用半导体 芯片的倒装芯片连接结构作为有效措施。

在倒装芯片连接结构中，在芯片安装区域，半导体芯片与半导 体封装体的基板之间的间隔非常小，也就是说，在高密度连接结构中 该间隔大约为30μm。因此，使用低粘度的树脂作为底部填充树脂。

在使用低粘度的底部填充树脂的情况下，底部填充树脂或多或 少地会从倒装芯片连接区域流出。通常，这对外观只有轻微的影响并 且可以忽视。然而，当半导体芯片自身的尺寸减小并且半导体芯片与 其它电子元件的密度提高时，存在底部填充树脂的流出会有害地影响 外围芯片和电子元件的可能性。

在最近几年中，存在通过以下方式形成的层叠式半导体器件， 即：在连接有半导体元件倒装芯片的半导体器件上安装另一半导体器 件，然后通过LGA连接使这些半导体器件相互连接。在半导体器件 中，需要一种形成围堰的方法，所述围堰防止底部填充树脂经由设置 成包围芯片安装区域的保护阻挡层流出，从而使底部填充树脂不会流 向布置在半导体封装体的芯片安装区域外侧的用于BGA连接或LGA 连接的连接盘焊盘。

[专利文献1]JP-A-2006-351559

图14是说明性视图，示出了制造包括倒装芯片连接焊盘和用于 BGA连接或LGA连接的连接盘焊盘的半导体封装体的中间步骤。

形成在半导体元件10(见图12)上的凸点12(金凸点)与倒装 芯片连接焊盘16结合，焊球或连接插脚与用于BGA连接或LGA连 接的连接盘焊盘18连接。为此，将焊料覆盖在倒装芯片连接焊盘16 中的铜焊盘表面上。此外，在用于BGA连接或LGA连接的连接盘 焊盘18中也可以使用铜焊盘。然而，为了使连接盘焊盘18更合适， 理想的是应当在铜焊盘表面上施加金属镀层36(例如，镍镀层和金 镀层)。

在向连接盘焊盘18施加镍镀层和金镀层的情况下，在形成基板 14的步骤中，在基板14的表面上形成配线图案、倒装芯片连接焊盘 16和连接盘焊盘18，随后，首先将金属镀层36施加在用作连接盘焊 盘18的焊盘部分上，然后将焊料52a覆盖在用作倒装芯片连接焊盘 16的焊盘部分上。

更具体地说，当要将金属镀层36施加在用作连接盘焊盘18的 焊盘部分18a上时，用抗镀层涂覆用作倒装芯片连接焊盘16的焊盘 部分16a以便施加金属镀层36；当要将焊料粉末52涂覆在用作倒装 芯片连接焊盘16的焊盘部分16a上时，把掩模带42粘在连接盘焊盘 18上并因此盖住连接盘焊盘18。

连接盘焊盘18设置在包围形成有倒装芯片连接焊盘16的区域 的外部区域内，由包围形成有倒装芯片连接焊盘16的区域的保护阻 挡层形成围堰D。围堰D用于防止底部填充树脂37(见图12)流向 形成有连接盘焊盘18的区域，并且设置成从树脂基板30或阻焊层 38向上突起。如上文所述，粘贴掩模带42以遮蔽连接盘焊盘18。然 而，由于形成了围堰D，所以掩模带42不能平整地粘在形成有连接 盘焊盘18的区域上。因此，如图14所示，存在如下问题，即：在掩 模带42与形成有连接盘焊盘18的区域之间产生间隙S。在用焊料粉 末52涂覆用作倒装芯片连接焊盘16的焊盘部分16a的情况下，把粘 性溶液粘在焊盘部分16a上。因此，当在这种状态下提供粘性溶液时， 该粘性溶液会从形成有连接盘焊盘18的区域与掩模带42之间的间隙 S流入形成有连接盘焊盘18的区域，或者焊料粉末52会粘在连接盘 焊盘18上，使得不能保护连接盘焊盘18表面上的金属镀层36，从 而产生有缺陷的产品。

发明内容