[发明专利]多信道混合密度内存储存装置及其控制方法

权利要求书

1.一种多信道混合密度内存储存装置，其特征在于，适用于存取 一更新数据，该储存装置包括有：

一非挥发性内存单元，其包括并联的多组记忆模块，每一该记忆 模块中具有至少一低密度记忆单元以及至少一高密度记忆单元；

多条指令传输线，耦接于该多组记忆模块，以使得该多组记忆模块 中的每一记忆模块耦接一条指令传输线；以及

一控制单元，通过该多条指令传输线中的一条耦接于该组记忆模块 中的一记忆模块，该多条指令传输线传输多个指令，用以将该更新数据 同时进行分属多个不同记忆模块的所述低密度记忆单元或所述高密度记 忆单元中的存取动作；

其中该更新数据若从该高密度记忆单元传输至该低密度记忆单 元，该控制单元会将该更新数据等分后同时传至该低密度记忆单元； 而该更新数据若从该低密度记忆单元传输至该高密度记忆单元，该控 制单元会将该更新数据合并后传至该高密度记忆单元。

2.如权利要求1所述的储存装置，其特征在于该更新数据是存取 于一主机与该非挥发性内存单元之间。

3.如权利要求1所述的储存装置，其特征在于该更新数据是存取 于该低密度记忆单元与该高密度记忆单元之间。

4.如权利要求1所述的储存装置，其特征在于该控制单元更进一 步包括：

一数据传输缓冲区，其耦接于该非挥发性内存单元，以暂存该更 新数据。

5.如权利要求1所述的储存装置，其特征在于该控制单元中具有 一第一错误更正电路以及一第二错误更正电路，该第一错误更正电路 能修正的位数目少于该第二错误更正电路能修正的位数目。

6.如权利要求5所述的储存装置，其特征在于该低密度记忆单元 内的数据是借由该第一错误更正电路进行译码以及编码动作，而该高 密度记忆单元内的数据是借由该第二错误更正电路进行译码以及编码 动作。

7.如权利要求1所述的储存装置，其特征在于该低密度记忆单元 为单级单元内存、相变化内存、自由铁电式随机存取内存或磁性随机 存取内存；而该高密度记忆单元为多级单元内存。

8.一种多信道混合密度内存储存装置的控制方法，其特征在于适 用于存取一更新数据，该储存装置具有一非挥发性内存单元，该非挥 发性内存单元具有并联的多组记忆模块,每一该记忆模块是由至少一 低密度记忆单元以及至少一高密度记忆单元组成，该控制方法包括下 列步骤：

A.提供一第一错误更正电路以及一第二错误更正电路于该储存装 置中，其中该第一错误更正电路的错误更正能力低于该第二错误更正 电路的错误更正能力；

B.判断该更新数据的传输走向；

C.根据该步骤B的判断结果来使用该第一错误更正电路或该第二 错误更正电路对该更新数据执行编码或译码动作;

D.每一记忆模块耦接一条指令传输线，透过耦接于该多组记忆模 块的多条指令传输线传输多个指令，将该更新数据同时进行分属多个 不同记忆模块的所述低密度记忆单元或所述高密度记忆单元中的存取 动作;以及

E.当该传输走向为从低密度记忆单元传输至高密度记忆单元时则 合并该更新数据;以及当该传输方向为从高密度记忆单元传输至低密度 记忆单元时则平均分配该更新数据至不同的低密度记忆单元。

9.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于该更新数据存取于 该低密度记忆单元与该高密度记忆单元之间。

10.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于该更新数据的传 输走向若从该低密度记忆单元存入该高密度记忆单元，则该步骤C包 括以下步骤：

使用该第一错误更正电路对该更新数据进行译码，以侦测并修正 该更新数据中的错误位；以及

使用该第二错误更正电路对译码后的该更新数据进行编码。

11.如权利要求10所述的控制方法，其特征在于更包括以下步骤：

从多个该低密度记忆单元内同时读取该更新数据；以及

将编码后的该更新数据合并以写入该高密度记忆单元。