[发明专利]栅层的制造方法有效
| 申请号： | 200810118404.5 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101651096A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 何永根;戴树刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
1.一种栅层的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有多晶硅层的衬底；
执行等离子体掺杂工艺，在所述多晶硅层中掺入氮掺杂；
执行离子注入掺杂工艺，在所述多晶硅层中掺入减小该多晶硅层电阻率的杂质；
对已执行所述的等离子体掺杂和离子注入掺杂的多晶硅层执行退火工艺。
2.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：先执行所述等离子体掺杂工艺的步骤，再执行所述离子注入掺杂工艺的步骤；或者先执行所述离子注入掺杂工艺的步骤，再执行所述等离子体掺杂工艺的步骤。
3.如权利要求1所述的栅层的制造方法，其特征在于：若先执行所述等离子体掺杂工艺的步骤，再执行所述离子注入掺杂工艺的步骤；则在所述等离子体掺杂工艺的步骤和所述离子注入掺杂工艺的步骤之间，还包括对所述多晶硅层执行氮掺杂后热处理的步骤。
4.如权利要求1或2或3所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述等离子体掺杂工艺为去耦等离子体氮处理工艺、低温等离子体氮处理工艺或远程等离子体氮处理工艺。
5.如权利要求4所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述等离子体掺杂工艺中反应气体为N2、N2O、NO或NH3中的一种或组合。
6.如权利要求5所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述反应气体中还掺有惰性气体。
7.如权利要求5所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述等离子体掺杂工艺反应气体为N2，其中所述N2的流量为200sccm至500sccm。
8.如权利要求1至3或5至7任一权利要求所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述退火工艺为快速热退火或炉管退火，退火温度为1000℃至1100℃。
9.如权利要求1至3或5至7任一权利要求所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述的减小该多晶硅层电阻率的杂质为磷或砷或硼。
10.一种栅层的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成多晶硅层，并原位对所述多晶硅层执行离子注入掺杂工艺，在所述多晶硅层中掺入减小该多晶硅层电阻率的杂质；
执行等离子体掺杂工艺，在所述多晶硅层中掺入氮掺杂；
对已执行所述的等离子体掺杂工艺的多晶硅层执行退火工艺。
11.如权利要求10所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述等离子体掺杂工艺为去耦等离子体氮处理工艺、低温等离子体氮处理工艺或远程等离子体氮处理工艺。
12.如权利要求11所述的栅层的制造方法，其特征在于：所述等
离子体掺杂工艺中反应气体为N2、N2O、NO或NH3中的一种或组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
