[发明专利]在叠层介质层中刻蚀开口的方法无效
| 申请号： | 200810113691.0 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101593721A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;张世谋;沈满华;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 刻蚀 开口 方法 | ||
1、一种在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有叠层介质层；
在所述叠层介质层上形成光刻胶层，接着图形化该光刻胶层，形成开口图案；
刻蚀所述开口图案底部的叠层介质层，至该叠层介质层中的最下面一层露出时为止；
去除所述光刻胶层；
刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层，形成贯穿所述叠层介质层的开口；
其中，刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层的步骤中的刻蚀感应耦合等离子体刻蚀。
2、如权利要求1所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：去除所述光刻胶层的步骤和刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层的步骤原位进行或在不同的工艺腔中分别进行。
3、如权利要求1或2所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于，进一步包括：对所述开口底部的膜层表面执行等离子体处理。
4、如权利要求1或2所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：所述叠层介质层为两层，分别为刻蚀停止层以及该刻蚀停止层上的金属间介质层，所述开口为贯穿所述金属间介质层和刻蚀停止层的连接孔。
5、如权利要求4所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：所述叠层介质层还包括位于所述金属间介质层上的覆盖层。
6、如权利要求1或2或5所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：所述感应耦合等离子体刻蚀工艺中产生等离子体的气体包括含氟的气体。
7、如权利要求6所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：所述含氟的气体包括CF4、C2F4或C3H8。
8、如权利要求6所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：所述的产生等离子体的气体还包括H2。
9、如权利要求1或2或5所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：所述感应耦合等离子体刻蚀工艺中产生等离子体的气体为CF4和H2，所述CF4的流量的10sccm至30sccm，H2的流量为80sccm至200sccm。
10、如权利要求9所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：所述感应耦合等离子体刻蚀工艺中产生等离子体的激励源功率为200W至400W。
11、如权利要求9所述的在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于：所述感应耦合等离子体刻蚀时的压力为5mT至25mT。
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