[发明专利]一种提高钕铁硼永磁体高温抗氧化性的方法无效

专利信息
申请号: 200810113145.7 申请日: 2008-05-28
公开(公告)号: CN101280403A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 郭志猛;岳晓岱;罗骥;林涛;郝俊杰;贾磊 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C23C2/12 分类号: C23C2/12;C23C2/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 钕铁硼 永磁体 高温 氧化 方法
【权利要求书】:

1.一种提高钕铁硼永磁体高温抗氧化性的方法,其特征是工艺步骤为:

(1)清洁镀件表面,清除表面油污、氧化皮及杂质;

(2)将镀件置入助镀液中进行助镀处理,助镀温度为85~95℃,时间为3~5min;

(3)将助镀后的镀件进行干燥处理;

(4)在立式电阻炉中熔炼Al-Si合金和熔剂盐的混合液;

(5)将助镀后的镀件进行预热,预热温度为100~200℃,时间为0.5~3min;

(6)将预热后的镀件缓慢浸入融有熔剂盐和Al-Si合金液的铝锅进行浸镀,放入速度为0.2~2m/min,浸镀时间为0.5~2min;

(7)缓慢提出镀件,使其缓慢冷却;

(8)抛光。

2.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼永磁体高温抗氧化性的方法,其特征是本发明所述的助镀液为含有5~10%助镀剂的氟钛酸钾或氟锆酸钾水溶液;所述的Al-Si合金与熔剂盐的混合物,Al-Si合金中Si含量为2~9%,余量为铝;熔剂盐的成分为:氟铝酸钠23~37%,氟化铝17~27%,氯化钾36~60%。

3.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼永磁体高温抗氧化性的方法,其特征是浸镀温度为700~850℃,时间为0.5~2min;浸镀后提出速度为0.2~2m/min。

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