[发明专利]图形转移方法

权利要求书

1.一种图形转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体基底，所述半导体基底上依次具有第二掩膜层和第一掩膜层， 所述第一掩膜层上依次具有抗反射层和第一光刻胶层；

通过曝光形成图形化第一光刻胶层后，以图形化第一光刻胶层为掩膜，蚀 刻抗反射层、第一掩膜层至暴露第二掩膜层，形成图形化第一掩膜层和图形 化抗反射层；

去除第一光刻胶层和图形化抗反射层后，在第二掩膜层和图形化第一掩膜 层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层含有感光成酸剂和对烷基苯氧基 甲酸树酯，所述对烷基苯氧基甲酸树酯为对-仲丁基-苯氧基甲酸叔丁酯、对- 仲丁基-苯氧基甲酸仲丁酯、对-仲丁基-苯氧基甲酸异丙酯、对-异丙基-苯氧基 甲酸叔丁酯、对-异丙基-苯氧基甲酸仲丁酯或者对-异丙基-苯氧基甲酸异丙酯；

通过曝光形成图形化第二光刻胶层，且图形化第二光刻胶层上的图形深度 小于第二光刻胶层厚度；

使用硅烷化剂对图形化第二光刻胶层表面进行硅烷化处理，使图形化第二 光刻胶层上被曝光部分转变为图形化抗等离子刻蚀层；

以图形化抗等离子刻蚀层为掩膜，对图形化第二光刻胶层进行等离子刻蚀 至暴露图形化第一掩膜层和第二掩膜层；

以图形化抗等离子刻蚀层和图形化第一掩膜层为掩膜，刻蚀第二掩膜层。

2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述曝光形成图形化第二光 刻胶层的曝光强度是20mj/cm²至50mj/cm²。

3.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述图形化第二光刻胶层上 的图形深度为第二光刻胶层厚度的5％至10％。

4.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述通过曝光形成图形化第 二光刻胶层的步骤之前，还可以包括对第二光刻胶层进行预烘培的步骤。

5.如权利要求4所述的光刻方法，其特征在于：所述预烘培的温度是100℃ 至120℃。

6.如权利要求4所述的光刻方法，其特征在于：所述预烘培的时间是50秒 至70秒。

7.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述硅烷化处理后，还可以 包括对第二光刻胶层进行烘烤的步骤，使抗等离子刻蚀层产生交联。

8.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述感光成酸剂包括硫鎓离 子六氟锑酸盐或硫鎓离子六氟磷酸盐。

9.如权利要求8所述的光刻方法，其特征在于，所述硫鎓离子六氟锑酸盐包 括三苯基硫鎓六氟锑酸盐、(4-苯硫基-苯基)二苯基硫鎓六氟锑酸盐或双-[(4- 二苯硫鎓)苯基]硫醚-双-六氟锑酸盐。

10.如权利要求8所述的光刻方法，其特征在于，所述硫鎓离子六氟磷酸盐包 括三苯基硫鎓六氟磷酸盐、(4-苯硫基-苯基)二苯基硫鎓六氟磷酸盐或双-[(4- 二苯硫鎓)苯基]硫醚-双-六氟磷酸盐。

11.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述硅烷化剂包括六甲基二 硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲氨基)甲基硅烷、双(二甲氨基)二甲 基硅烷、二甲硅基二甲胺、二甲硅基二乙胺、三甲硅基二甲胺、三甲硅基二 乙胺或(二甲氨基)五甲基乙硅烷。

如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，进行等离子刻蚀气体包括O₂、 Ar、CF₄、CH₂F₂或C₄F₈。