[发明专利]电注入调控三基色单芯片白光发光二极管有效
| 申请号： | 200810111710.6 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101582418A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 张国义;杨志坚;方浩;陶岳彬;桑立雯;李丁;童玉珍 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入 调控 基色 芯片 白光 发光二极管 | ||
1.一种电注入调控三基色的白光发光二极管，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触 层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加 第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、蓝光有源层和第二p型欧姆接触 层，在衬底的另一侧键合红光发光二极管，其中：所述绿光有源层为发射波长在绿光 波段的量子阱，该量子阱的周期数为1～20，每个周期中，阱的厚度为1nm～5nm，垒 的厚度为6nm～20nm；所述蓝光有源层为发射波长在蓝光波段的量子阱，该量子阱的 周期数为1～20，每个周期中，阱的厚度为1nm～5nm，垒的厚度为6nm～20nm。
2.如权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于：所述绿光有源层的量子阱为InGaN 或AlInGaN量子阱。
3.如权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于：所述蓝光有源层的量子阱为InGaN 或AlInGaN量子阱。
4.如权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于：所述p型欧姆接触层材料为p型 GaN，厚度为300nm～1500nm。
5.如权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于：所述n型欧姆接触层材料为n型 GaN，厚度为300nm～1500nm。
6.如权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于：所述红光发光二极管是InP基的红 光发光二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810111710.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗电磁干扰电源变换器
- 下一篇：太阳能万能充电器
- 同类专利
- 专利分类
