[发明专利]电平移动电路和半导体器件

权利要求书

1.一种电平移动电路，用来驱动功率器件，所述功率器件的一个主端子 被连接到高压电源的高电位侧而其另一个主端子被连接到负载，该电平移动电 路被连接到高电位侧低压电路区与低电位侧低压电路区，且将低电位侧低压电 路区的信号转换成高电位侧低压电路区的信号，或将高电位侧低压电路区的信 号转换成低电位侧低压电路区的信号，所述低电位侧低压电路区的电流由以所 述高压电源的低电位侧作为基准的低压电源提供，而所述高电位侧低压电路区 的电流由以所述功率器件的另一主端子作为基准的低压电源提供，该电平移动 电路的特征在于，

在以所述功率器件的所述另一主端子作为基准的低压电源的高电位侧与 高压电源的低电位侧之间，包括：源极区和沟道区短路的MOSFET、与所述 MOSFET串联连接并配置在所述MOSFET的漏极区侧的电平移动电阻器、以 及与所述电平移动电阻器并联且将以所述功率器件的另一主端子作为基准的 所述低压电源的高电位侧作为阴极地连接的保护二极管，以及

限制了所述MOSFET的体二极管的电流的限流电阻器串联连接在以所述 功率器件的另一主端子作为基准的所述低压电源的高电位侧与所述电平移动 电阻器之间。

2.如权利要求1所述的电平移动电路，其特征在于，ESD保护二极管和 齐纳二极管被反串联连接，并且并联连接到所述限流电阻器以使所述ESD保 护二极管的阳极侧是所述高压电源的低电位侧。

3.一种半导体器件，其中将如权利要求1或2所述的电平移动电路、低 电位侧低压电路区、和高电位侧低压电路区形成在同一衬底上，其特征在于，

所述MOSFET包括，在p型半导体衬底内形成、并连接到所述限流电阻 器的一端的n型半导体区中的，选择性地在所述n型半导体区的表面层中形成 的p型基极区，选择性地在所述p型基极区的表面层中形成的n型源极区，选 择性地在所述p型基极区的表面层中毗邻于所述n型源极区形成的p型接触区， 以及选择性地在所述n型半导体区的表面层中与所述p型基极区分隔开一间隔 地形成的n型漏极区，

所述n型源极区和p型接触区被连接到所述高压电源的低电位侧，并且

所述n型漏极区被连接到所述电平移动电阻器的一端，所述电平移动电阻 器的另一端被连接到所述限流电阻器的一端，

而所述限流电阻器的另一端被连接到以所述功率器件的另一主端子作为 基准的所述低压电源的高电位侧。

4.一种半导体器件，其中将如权利要求1或2所述的电平移动电路、低 电位侧低压电路区、和高电位侧低压电路区形成在同一衬底上，其特征在于，

所述MOSFET包括，在p型半导体衬底内形成、并连接到所述限流电阻 器的一端的n型半导体区中的，选择性地在所述n型半导体区的表面层中形成 的p型源极区，毗邻于所述p型源极区形成的n型接触区，以及选择性地在所 述n型半导体区的表面层中与所述p型源极区分隔开一间隔地形成的p型漏极 区，

所述p型源极区和n型接触区被连接到所述限流电阻器的一端，并且

所述p型漏极区被连接到所述电平移动电阻器的一端，所述电平移动电阻 器的另一端被连接到所述高压电源的低电位侧，

而所述限流电阻器的另一端被连接到以所述功率器件的另一主端子作为 基准的所述低压电源的高电位侧。

5.如权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述高电位侧低 压电路区在所述n型半导体区域内形成。

6.如权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述n型半导体 区是被绝缘区包围的绝缘隔离区。

7.如权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述n型半导体 区与所述p型半导体衬底形成pn结。