[发明专利]高密度基板的结构与制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种高密度基板及其制法，且特别涉及一种利用激光钻孔制备高密度基板的方法。 

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品不断往轻、薄、短、小发展，印刷电路板(printed circuit board，PCB)亦逐渐朝向高密度布线互连(high density interconnection，HDI)工艺技术发展，使得能在更狭小的空间里提供更多的功能，进而达到整体系统成本的降低。在HDI的技术中，为符合高密度布线、细间距以及电路板尺寸微型化的封装趋势，因此有Via-on-Pad(VOP)的设计，意即导通孔位于锡球垫之上。由于传统的机械钻孔方式会击穿PCB双面板，使得面板上的导电铜箔被破坏，因此业界改采激光钻孔(laser drilling)方式，以能更精准的控制钻孔的尺寸及位置。 

目前业界利用激光钻孔技术制作双面板导通孔的方法，主要分为三种，第一种为减成法(full-substactive process，又称负片流程)，第二种为半减成法(semi-substractive process)，第三种为改良式半加成法(modified semi-additive process，又称正片流程)。 

减成法的双面铜箔基板一般使用厚度约12μm(或18μm)的铜箔。之后进行激光钻孔工艺形成通孔时，由于基材的下表面铜箔至少约12μm，所以能避免激光击穿的问题产生，但是缺点在于蚀刻步骤时，因为钻孔后之上表面铜箔或下表面铜箔太厚，造成蚀刻时间较久，使得侧蚀现象严重，因此细线路能力(fine line capability)受阻。 

半减成法与改良式半加成法的双面铜箔基板皆使用厚度约4μm的超薄铜箔。半减成法工艺的优点在于，蚀刻步骤时，由于上表面铜箔或下表面铜箔较薄，所以进行蚀刻步骤时，侧蚀现象不严 重，可得到较好的细线路，但也因为使用超薄铜箔，会使得激光加工不易，造成生产成本提高以及击穿的比例甚高。 

因此，业界亟需一种改良的工艺，不但能避免激光击穿的问题产生，且能使双面板具有较高细线路能力。 

发明内容

本发明的目的之一就是提供一种高密度基板的制作方法及其结构，同时能避免激光击穿与达到细线路能力。 

为达上述与其它目的，本发明提供一种高密度基板的制作方法，包括以下步骤：提供一双面铜箔基板，其具有一上表面铜箔和一下表面铜箔；于该下表面铜箔的下表面形成一底垫片，该底垫片设置于一通孔的预定位置；以激光钻孔形成该通孔，该通孔穿过该上表面铜箔与该基板，但不穿透该底垫片；于该通孔中顺应地形成一晶种层；以及于该晶种层上电镀一金属以形成一导通孔。 

本发明还提供一种高密度基板的结构，包括：一基板，一上表面铜箔，形成于该基板的上表面；一通孔，穿过该上表面铜箔与该基板；一晶种层，顺应地形成于该通孔中；一金属，设置于该晶种层上且填入该通孔；一下表面铜箔，形成于该基板的下表面；以及一底垫片，直接形成于该下表面铜箔之下，且对应于该通孔。 

附图说明

第1A～1I图为一系列剖面图，用以说明本发明实施例制作高密度基板的流程。 

【主要组件符号说明】 

10～双面铜箔基板； 

20～上表面铜箔； 

30～下表面铜箔； 

40～第一光阻层； 

50～第一开口； 

60～底垫片； 

70～第二开口； 

80～通孔； 

90～晶种层； 

100～第二光阻层； 

110～电镀铜。 

具体实施方式

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选的实施例，并配合附图，作详细说明如下： 

【实施方式】 

以下将配合图1A到图1I详细说明本发明的实施例的高密度基板的制作方法。此处必须注意的是，该些附图均为简化的示意图，以强调本发明的特征，因此图中的组件尺寸并非完全依实际比例绘制。且本发明的实施例也可能包含图中未显示的组件。