[发明专利]高密度基板的结构与制法

权利要求书

1.一种高密度基板的制作方法，包括下列步骤：

提供一双面铜箔基板，其具有一上表面铜箔与一下表面铜箔；

于该下表面铜箔的下表面形成一底垫片，该底垫片设置于一通孔的预定位置；

以激光钻孔形成该通孔，该通孔穿过该上表面铜箔与该基板，但不穿透该底垫片；

于该通孔中顺应地形成一晶种层；以及

于该晶种层上电镀一金属以形成一导通孔。

2.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中该双面铜箔基板的核心材质为纸质酚醛树脂、复合环氧树脂、聚酰亚胺树脂或玻璃纤维。

3.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中该铜箔的厚度小于4μm。

4.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中该底垫片的材质为铜、铝、镍、金或上述的组合。

5.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中该底垫片的面积大于该通孔的大小。

6.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中该底垫片的厚度大于12μm。

7.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中该晶种层为铜、钽或两者的组合。

8.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中该金属为铜、铝、镍、金或上述的组合。

9.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中形成该底垫片的步骤包括：

于该上表面铜箔和下表面铜箔涂布一第一光阻；

进行一第一微影步骤，使该下表面铜箔的第一光阻形成一第一开口，该第一开口对应于该底垫片的预定位置；

进行一电镀工艺，于该第一开口中形成该底垫片；以及

去除该第一光阻。

10.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中该激光钻孔使用二氧化碳激光。

11.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中形成该通孔的步骤包括：

进行一第二微影步骤，使上表面铜箔形成一第二开口，沿该第二开口对该双面铜箔基板进行激光钻孔，以形成该通孔；以及

去除该激光钻孔所产生的残渣。

12.如权利要求1所述的高密度基板的制作方法，其中形成该导通孔的步骤包括：

于该晶种层之上涂布一第二光阻；

进行一第三微影步骤，使该第二光阻露出该通孔中的晶种层；

进行一线路电镀，于该第二光阻所露出的晶种层镀上该金属；

将该第二光阻去除；以及

进行一蚀刻步骤，去除非线路电镀区的晶种层与铜箔。

13.一种高密度基板，包括：

一基板，

一上表面铜箔，形成于该基板的上表面；

一通孔，穿过该上表面铜箔与该基板；

一晶种层，顺应地形成于该通孔中；

一金属，设置于该晶种层上且填入该通孔；

一下表面铜箔，形成于该基板的下表面；以及

一底垫片，直接形成于该下表面铜箔之下，且对应于该通孔。

14.如权利要求13所述的高密度基板，其中该基板的核心材质为纸质酚醛树脂、复合环氧树脂、聚酰亚胺树脂或玻璃纤维。

15.如权利要求13所述的高密度基板，其中该铜箔的厚度小于4μm。

16.如权利要求13所述的高密度基板，其中该晶种层为铜、钽或两者的组合。

17.如权利要求13所述的高密度基板，其中该底垫片的材质为铜、铝、镍、金或上述的组合。

18.如权利要求13所述的高密度基板，其中该金属为铜、铝、镍、金或上述的组合。

19.如权利要求13所述的高密度基板，其中该底垫片的面积大于该通孔的大小。

20.如权利要求13所述的高密度基板，其中该底垫片的厚度大于12μm。

21.如权利要求13所述的高密度基板，其中该底垫片直接形成于该下表面铜箔之下是指该底垫片与该下表面铜箔之间没有晶种层。