[发明专利]多芯片直流－直流升压功率变换器的有效力封装结构

权利要求书

1.一种用于直流-直流升压转换器设备的多芯片半导体封装，其升压变换器将一个不稳定的直流输入电压转换为稳定的直流输出电压，其特征在于，所述的多芯片半导体封装包括：

具有单芯片基座的一引线框架；

安装在该单芯片基座上的一垂直MOSFET；

阳极和所述的垂直MOSFET的漏极连接的一肖特基二极管；以及

安装在所述单芯片基座上的、用于控制该垂直MOSFET栅极的功率调节控制器；

其中，所述的垂直MOSFET，肖特基二极管和功率调节控制器共同封装于该单芯片基座的上部，以进一步减少了单芯片基座的面积。

2.如权利要求1所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的垂直MOSFET的漏极位于该垂直MOSFET的底面，所述的肖特基二极管和该垂直MOSFET并排设置在该单芯片基座上，且肖特基二极管的阳极位于该肖特基二极管的底面，通过该单芯片基座，肖特基二极管的阳极与该垂直MOSFET的漏极电连接。

3.如权利要求2所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的肖特基二极管芯片的衬底是其阴极，且肖特基二极管芯片以倒装方式封装。

4.如权利要求3所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的功率调节控制器芯片通过绝缘芯片粘结材料装在该单芯片基座上。

5.如权利要求1所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的单芯片基座接地，所述的垂直MOSFET是一垂直N沟道场效应晶体管，所述的肖特基二极管芯片的衬底是其阳极且垂直MOSFET的顶部是其漏极，从而该肖特基二极管芯片和垂直MOSFET芯片以肖特基二极管芯片位于垂直MOSFET芯片上部这种堆叠方式而共同封装于该单芯片基座的上部，用以降低垂直 MOSFET源极的电感并且易于散热。

6.如权利要求5所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的功率调节控制器芯片通过导电芯片粘结材料安装在该单芯片基座上。

7.如权利要求1所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的不稳定的直流输入电压和稳定的直流输出电压是负电压，因此，垂直MOSFET是一垂直P沟道场效应晶体管，肖特基二极管的衬底是其阴极，所述的垂直MOSFET的底部是其漏极，该肖特基二极管芯片和垂直MOSFET芯片并列共同封装于该单芯片基座的上部。

8.如权利要求7所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的功率调节控制器芯片通过绝缘芯片粘结材料装安装在该单芯片基座上。

9.如权利要求1所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的不稳定的直流输入电压和稳定的直流输出电压是负电压，因此，该垂直MOSFET是一垂直P沟道场效应晶体管，所述的单芯片基座接地，所述的肖特基二极管芯片的衬底是其阴极，且垂直MOSFET的上部是其漏极，该肖特基二极管芯片和垂直MOSFET芯片以肖特基二极管芯片位于垂直MOSFET芯片上部这种堆叠的方式共同封装于单芯片基座的上部，降低了垂直MOSFET源极的电感并且易于散热。

10.如权利要求9所述的多芯片半导体封装，其特征在于，所述的功率调节控制器芯片通过导电芯片粘结材料安装在该单芯片基座上。