[发明专利]将金刚石层施涂在石墨基体上的方法无效

专利信息
申请号: 200810107458.1 申请日: 2008-12-22
公开(公告)号: CN101580931A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: M·弗里达;T·马特;S·马尔卡希 申请(专利权)人: 康迪亚斯有限责任公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/44;C04B41/50
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 过晓东
地址: 德国伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 金刚石 层施涂 石墨 基体 方法
【权利要求书】:

1、根据CVD法将金刚石层施涂在石墨基体上的方法,其中在CVD法之前对该石墨基体实施下列预处理步骤:

-在高于500℃,优选高于800℃的温度下于真空中在蚀刻气体气氛中精细净化表面,

-机械去除松散的颗粒,

-用极细的金刚石颗粒给基体表面施加晶种,及

-在T>500℃,优选T>700℃的温度下于真空中进行至少一次脱气处理以去除吸附的烃类和吸附的空气。

2、根据权利要求1所述的方法,其中在氢气氛中实施所述精细净化过程。

3、根据权利要求2所述的方法,其中调节氢气氛的气压小于10mbar。

4、根据权利要求1至3之一所述的方法,其中用金刚石颗粒悬浮液给所述基体表面施加晶种。

5、根据权利要求4所述的方法,其中随后通过加热所述石墨基体去除悬浮剂。

6、根据权利要求1至5之一所述的方法,其中在CVD法之前立即进行所述脱气处理。

7、根据权利要求1至6之一所述的方法,其中以氢气中0.5至3.0%,优选2%甲烷的气体组成实施CVD法。

8、根据权利要求1至7之一所述的方法,其中预先设置一个粗略净化步骤。

9、根据权利要求1所述的方法,其中使用有机溶剂实施所述粗略净化步骤。

10、根据权利要求9所述的方法,其中随后在大于150℃的提高的温度下实施脱附步骤以去除溶剂。

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