[发明专利]含铜材料用蚀刻剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种含铜材料用蚀刻剂组合物，特别涉及一种可以形状良好地 对微细图案的电路配线进行蚀刻的含铜材料用蚀刻剂组合物。

背景技术

表面形成有电路的印刷线路板(或膜)被广泛地用于安装电子部件及半导体 元件等。并且，伴随着近年来电子设备的小型化及高功能化的要求，期待印刷 线路板(或膜)的薄型化及电路配线的高密度化。作为通过湿法蚀刻形成这样的 高密度电路配线的方法，有称为减去(サブトラクテイブ)法及半加成(セミア デイテイブ)法的方法。

为了形成微细图案的电路配线，理想的状态是：蚀刻部分没有残膜；从上 方看到的电路配线的侧面为直线(直线性)、电路配线的剖面为矩形；显示出高 的蚀刻因子。但是，实际中，会产生残膜、和直线性的错乱、侧向刻蚀、底蚀(ア ンダ一カツト)、配线上部宽度小导致的蚀刻因子低等电路配线的形状不良。因 此，希望湿法蚀刻可以抑制这些形状不良。

报道过多种通过对蚀刻剂组合物的成分下工夫来改良如上所述的电路配线 形状不良的技术。

例如，专利文献1中公开了一种利用半加成法来形成电路图案的方法，其 中，所述半加成法使用了以作为氧化剂的2价铁离子、盐酸、含铜材料蚀刻促 进剂、和含铜材料蚀刻抑制剂为必须成分的蚀刻剂组合物。在此，作为含铜材 料蚀刻抑制剂，例如有：在胺类化合物的活性氢基上加成环氧丙烷及环氧乙烷 得到的化合物。此外，公开了在该蚀刻剂组合物中，作为使铜表面的洁净化效 果、流平性提高的成分，可以配合磷酸。

此外，专利文献2中公开了一种铜或铜合金的蚀刻剂组合物，其中，所述 蚀刻剂组合物由含有铜的氧化剂；和选自盐酸及有机酸盐中的酸；和选自聚亚 烷基二醇、以及多元胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的聚合物的水溶液构成，并 且可以抑制侧向蚀刻、配线上部变细。在此，作为铜的氧化剂，列举了铜离子 及铁离子。再有，作为产生该铜离子的化合物，列举了氯化铜(II)、溴化铜(II) 及氢氧化铜(II)；再有，作为产生铁离子的化合物，列举了氯化铁(III)、溴化 铁(III)、碘化铁(III)、硫酸铁(III)、硝酸铁(III)及醋酸铁(III)。进一步， 作为多元胺和聚亚烷基二醇的共聚物，列举了：乙二胺、二亚乙基三胺、三亚 乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺或N-乙基乙二胺和聚乙二醇、聚丙二 醇或环氧乙烷·环氧丙烷共聚物的共聚物。

此外，专利文献3中公开了一种蚀刻剂组合物，其中，所述蚀刻剂组合物 由含有氧化性金属离子源、和选自无机酸及有机酸中的至少一种的酸、和仅含 有氮原子作为环内的杂原子的唑类、和选自二醇及二醇醚中的至少一种的水溶 液构成，并且可以抑制底蚀的产生。在此，作为氧化性金属离子源，列举了铜 离子及铁离子。再有，作为酸，列举了磷酸。进一步，作为二醇醚，列举了： 丙二醇单乙醚、乙二醇单丁基醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二丙二醇甲基醚、及 二甘醇丁基醚。

专利文献1：特开2003-138389号公报

专利文献2：特开2004-256901号公报

专利文献3：特开2005-330572号公报

发明内容

但是，在形成微细图案的电路配线时，利用专利文献1及2中公开的蚀刻 剂细合物，不能将铜均一地蚀刻，因此会产生电路配线的形状不良(例如，直线 性的不良)及发生短路等问题。此外，专利文献3公开的蚀刻剂组合物，分散性 差，因此会产生以下问题：由微细图案的脱液性恶化所引起的电路配线形状不 良(例如，部分底蚀)而导致电路剥落；及来自磷酸和铜或铁的盐的淤渣引起发 生短路等问题。

本发明是为了解决上述问题而进行的，其目的在于提供一种含铜材料用蚀 刻剂组合物，其可以制造防止微细图案的电路配线的形状不良、不会产生短路 的印刷线路板(或膜)。

本发明人等为了解决上述问题进行了专心的研究，结果发现，具有特定配 合组成的含铜材料用蚀刻剂组合物可以解决上述问题，由此完成本发明。