[发明专利]一种用于等静压成型陶瓷坯体的施釉工艺方法有效
| 申请号: | 200810107108.5 | 申请日: | 2008-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN101318843A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
| 发明(设计)人: | 江伟辉;谭训彦;包镇红;顾幸勇;刘健敏;苗立峰 | 申请(专利权)人: | 景德镇陶瓷学院 |
| 主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86 |
| 代理公司: | 景德镇市高岭专利事务所 | 代理人: | 程雷 |
| 地址: | 333001江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 静压 成型 陶瓷 工艺 方法 | ||
技术领域
本发明属于传统陶瓷制造技术,具体涉及一种用于等静压成型陶瓷坯体的施釉工艺方法
背景技术
在采用等静压成型方法制备陶瓷产品时,为了提高粉体的流动性,坯料必须经过喷雾造粒,最终所得到的坯料是球形的团聚体,其颗粒尺寸较大。这种坯料经过等静压成型后,球形颗粒之间不能完全压实,致使成型的坯体粗糙不平,表面存在大量的凹坑。在这种坯体上施釉时,釉浆很容易渗入到球形颗粒间形成的凹坑中,极易使釉面出现很多小孔洞。这些釉面小孔洞在烧成过程中尺寸虽有所减小,但不能完全弥合,导致陶瓷产品在烧成后釉面仍布满大量的针孔,釉面光泽度变差,严重影响陶瓷产品的质量和档次。采用传统的施釉工艺,通过改进釉料配方,虽然能使釉面质量有所改善,但是仍无法从根本上解决等静压成型的陶瓷产品釉面质量差的难题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种新的用于等静压成型陶瓷坯体的施釉工艺方法,可有效地解决等静压成型陶瓷产品极易产生釉面针孔缺陷的难题。
本发明提出的一种用于等静压成型陶瓷坯体的施釉工艺方法,其特征是:先在经900℃~1000℃素烧的陶瓷坯体表面浸渍高分子聚合物水溶液,干燥后施底釉,再干燥后施面釉。所述的高分子聚合物只要是能够在坯体表面形成一层微孔有机薄膜的高分子聚合物即可。
上述的高分子聚合物优选羧甲基纤维素钠(CMC)或聚乙烯醇(PVA),坯体浸渍液浓度优选0.1wt%~2.0wt%;所述底釉和面釉的细度要求优选的是:底釉是过100目筛筛余量0.2wt%~0.5wt%,面釉是过250目筛筛余量0.02wt%~0.05wt%。
本发明的技术关键和创新是首先在经900℃~1000℃素烧的陶瓷坯体上浸渍一层高分子聚合物溶液,干燥后坯体表面便形成一层高分子聚合物微孔薄膜,它起到筛网的作用,能阻止釉浆中的固体颗粒进入到坯体孔隙中,从而有效避免釉面产生小孔洞。使上釉时能形成均匀致密的釉层,烧成后就能得到釉面光滑平整的陶瓷产品。由于高分子聚合物薄膜是微孔薄膜,它能够透水,因此它又不会影响坯体的吸浆性能。
本发明的另一个创新之处是在上面釉之前先上一层颗粒较粗的底釉,这样可以更好地防止釉浆细颗粒渗入坯体孔隙中,确保面釉表面均匀致密而不会出现小孔洞,有利于烧后形成光滑平整的釉面。
具体实施方式
实施例一
配制浓度为0.1wt%的CMC水溶液,将经920℃素烧过的6”陶瓷盘浸入其中8秒钟后取出,在70℃的烘箱中干燥20分钟,再将此陶瓷盘浸入浓度为50wt%,细度是过100目筛筛余量为0.2wt%的陶瓷底釉浆中约5秒钟,取出后在60℃的烘箱中干燥30分钟,之后再将此盘浸入浓度为40wt%,细度是过250目筛筛余量为0.02wt%的陶瓷面釉浆中约2秒钟,取出后,再按常规的烧成工艺烧成,获得的陶瓷盘釉面光滑平整,无针孔缺陷。
实施例二
配制浓度为0.8wt%的CMC水溶液,将经960℃素烧过的6”陶瓷盘浸入其中4秒钟后取出,在70℃的烘箱中干燥25分钟,再将此陶瓷盘浸入浓度为50wt%,细度是过100目筛筛余量为0.5wt%的陶瓷底釉浆中约5秒钟,取出后在60℃的烘箱中干燥30分钟,之后再将此盘浸入浓度为40wt%,细度是过250目筛筛余量为0.05wt%的陶瓷面釉浆中约2秒钟,取出后,再按常规的烧成工艺烧成,获得的陶瓷盘釉面光滑平整,无针孔缺陷。
实施例三
配制浓度为2.0wt%的PVA水溶液,将经1000℃素烧过的6”陶瓷盘浸入其中8秒钟后取出,在70℃的烘箱中干燥20分钟,再将此陶瓷盘浸入浓度为50wt%,细度是过100目筛筛余量为0.4wt%的陶瓷底釉浆中约5秒钟,取出后在60℃的烘箱中干燥30分钟,之后再将此盘浸入浓度为40wt%,细度是过250目筛筛余量为0.03wt%的陶瓷面釉浆中约2秒钟,取出后,再按常规的烧成工艺烧成,获得的陶瓷盘釉面光滑平整,无针孔缺陷。
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